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J-GLOBAL ID：201702262934091014   整理番号：17A0848451

Ga₂O₃パワーデバイスの現状

Current status of Ga₂O₃ power devices

著者 (4件)： HIGASHIWAKI Masataka (National Inst. of Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  MURAKAMI Hisashi (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  KUMAGAI Yoshinao (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  KURAMATA Akito (Tamura Corp., Saitama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 55  号： 12  ページ： 1202A1.1-1202A1.7  発行年： 2016年12月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化ガリウム(Ga₂O₃)は,その優れた材料特性と大量生産に適しているため,高出力,低損失のトランジスタおよびダイオード用の新しい広バンドギャップ半導体である。本論文では,SiだけでなくSiCやGaNなどの他の広バンドギャップ材料への魅力的な代替材料となるGa₂O₃の材料特性について議論することから始めます。今日までに製造された最先端のGa₂O₃ベースのデバイスは,パワーエレクトロニクスアプリケーションのための性能の可能性を実証しています。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *パワーエレクトロニクス ,  *半導体素子 ,  バンドギャップ ,  *材料 ,  炭化ケイ素 ,  窒化ガリウム
準シソーラス用語： ワイドバンドギャップ ,  *代替材料

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (39件)：

• B. J. Baliga, J. Appl. Phys. 53, 1759 (1982).
• H. H. Tippins, Phys. Rev. 140, A316 (1965).
• M. Orita, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 77, 4166 (2000).
• H. He, R. Orlando, M. A. Blanco, R. Pandey, E. Amzallag, I. Baraille, and M. Rérat, Phys. Rev. B 74, 195123 (2006).
• T. Onuma, S. Saito, K. Sasaki, T. Masui, T. Yamaguchi, T. Honda, and M. Higashiwaki, Jpn. J. Appl. Phys. 54, 112601 (2015).

タイトルに関連する用語 (3件)： Ga2O3 ,  パワーデバイス ,  現状