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J-GLOBAL ID:201702262954886208   整理番号:17A1650022

LT GaAs上の石英光伝導エミッタからの自由空間テラヘルツ放射の研究【Powered by NICT】

Investigation into free-space terahertz radiation from a LT-GaAs-on-quartz photoconductive emitter
著者 (11件):
資料名:
巻: 2017  号: IRMMW-THz  ページ: 1-2  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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リフトオフ移動過程を用いて,石英基板上に作製したLT-GaAs活性領域を持つ大面積光伝導THzエミッタと検出器を報告した。成長基板上に作製したとき,これらのデバイスを,同じLT-GaAsエミッタと比較した。移送されたデバイスは,より高いTHz-光の変換効率,そして著しく大きい破壊電圧を示すことを見出した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
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半導体薄膜  ,  測光と光検出器一般  ,  半導体-金属接触 

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