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J-GLOBAL ID：201702262962992284   整理番号：17A1637986

トンネル電界効果トランジスタにおける低周波雑音【Powered by NICT】

Low frequency noise in tunneling field effect transistors

著者 (5件)： Bu S.T. (State Key Laboratory of ASIC and System, Department of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China) ,  Huang D.M. (State Key Laboratory of ASIC and System, Department of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China) ,  Jiao G.F. (State Key Laboratory of ASIC and System, Department of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China) ,  Yu H.Y. (South University of Science and Technology of China, Shenzhen 518055, China) ,  Li Ming-Fu (State Key Laboratory of ASIC and System, Department of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 137  ページ： 95-101  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トンネル電界効果トランジスタ(TFET)のゲート酸化物中の電荷捕獲により励起された静電ポテンシャルの変動のための解析モデルを開発した。モデルはTFETにおける界面トラップで誘起されたドレイン電流の変動を得るために適用した。トンネリングとチャネルを通る電流輸送に基づいた低周波雑音モデルを提案した。TFETの周波数fとゲートバイアスV_g上の正規化パワースペクトルS Id/I_D~2の依存性が得られた。TFETにおける雑音スペクトルは従来のMOSFETのそれとは非常に異なることを見いだし,トンネル及びチャネルに輸送に関連した前者とLorentzと1/fスペクトル線形の重ね合わせを示した。電位と電流モデルは,TCADシミュレーションと比較した。計算I_D V_gと雑音スペクトルも実験結果と比較した。結果は,トンネリングが原因となった電流雑音の正規化スペクトルはチャネルを通る輸送に起因するそれよりもV_gによってより有意に影響することを示した。結果はまた,チャネルからの騒音は,移動度ゆらぎよりもむしろキャリア数変動によって支配されていることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： トンネル効果 ,  ゆらぎ ,  電流 ,  シミュレーション ,  パワースペクトル ,  *低周波雑音 ,  正規化 ,  チャネル ,  移動度 ,  解析モデル ,  MOSFET ,  周波数
準シソーラス用語： 雑音スペクトル ,  ドレイン電流 ,  *トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： トンネル電界効果トランジスタ(TFET) ,  界面トラップ ,  ポテンシャルモデル ,  低周波雑音

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： トンネル電界効果トランジスタ ,  低周波雑音