文献

J-GLOBAL ID：201702263021047272   整理番号：17A1694913

微小角入射X線回折法による窒化物半導体表面の構造解析

Structural Analysis in the Surface of Nitride Semiconductor by Grazing Incidence X-ray Diffraction

著者 (3件)： 本谷宗 (三菱電機 先端技総研) ,  倉橋健一郎 (三菱電機 先端技総研) ,  上原康 (三菱電機 先端技総研)
資料名： Journal of Surface Analysis  (Journal of Surface Analysis)
巻： 24  号： 1  ページ： 56-60  発行年： 2017年10月31日 
JST資料番号： L3852A  ISSN： 1341-1756  CODEN： JSANFX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 製造品質安定化には,製品開発段階で品質を作り込むことが重要である。開発段階で不具合要因や品質低下要因を理解することはその第一歩となる。ここでは高電子移動度トランジスタ開発の中で生じた金属電極/半導体基板界面の接触抵抗変動現象を理解するために行った半導体表面の構造解析結果について報告する。高輝度放射光とダイナミクスレンジの大きいピクセルディテクタを併用した微小角入射X線回折測定の結果から,接触抵抗変動と連動した表面結晶構造変化を明確にすることができた。(著者抄録)

シソーラス用語： *X線回折 ,  すれすれ入射 ,  X線構造解析 ,  *表面構造 ,  結晶構造解析 ,  *接触抵抗 ,  *界面 ,  HEMT ,  アルミニウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  窒化ガリウム ,  ヘテロ接合 ,  温度依存性 ,  熱処理条件 ,  表面粗さ
準シソーラス用語： 界面粗さ ,  *金属-半導体界面 ,  窒化アルミニウムインジウム ,  *微小角入射X線回折

分類 (1件)： X線回折法  (BK01020I)

引用文献 (5件)：

• [1] J. Kuzmik., IEEE Electron Devices Lett., 22, 510 (2001).
• [2] M. Gonschorek, J. -F. Carlin, E. Feltin, M. A. Py, and N. Grandjean, Appl. Phys. Lett., 89, 062106 (2006).
• [3] F. Medjdoub, J. F. Carlin, C. Gaquière, N. Grandjean and E. Kohn, The Open Electrical and Electronic Eng. J., 2, 1 (2008).
• [4] J. Selvaraj, S. L. Selvaraj, M. Niyoshi, Y. Kuraoka, M. Tanaka, and T. Egawa, Jpn. J. Appl. Phys. 48, 04C102 (2009).
• [5] A. Kitahara, SUNBEAM Annual Report with Research Results, 3, 17 (2013).

タイトルに関連する用語 (3件)： 微小角入射X線回折 ,  窒化物半導体 ,  構造解析