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J-GLOBAL ID：201702263074716137   整理番号：17A1271135

LFN雑音と過渡測定,およびT-CADシミュレーションによるAlGaN/GaNH EMTの理解トラップ位置と影響【Powered by NICT】

Understanding traps locations and impact on AlGaN/GaN HEMT by LFN noise & transient measurements, and T-CAD simulations

著者 (5件)： Tartarin J.G. (LAAS-CNRS, Toulouse, France) ,  Saugnon D. (LAAS-CNRS, Toulouse, France) ,  Lazar O. (LAAS-CNRS, Toulouse, France) ,  Maillot G. (LAAS-CNRS, Toulouse, France) ,  Bary L. (LAAS-CNRS, Toulouse, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICNF  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化技術である高周波および高電力エレクトロニクスのための広く使用されており,ロバスト低雑音受信機に対する増大する興味を引いている。しかし,DCおよびRF性能の安定性は,技術的トレードオフを犠牲にすることは困難である。全面的にではない習得の問題の中で,トランジスタの活性領域に位置するトラップと電荷は多種多様な電気的挙動を誘導するいくつかのトラップは,トランジスタ性能に影響しないので,いくつかは信号完全性に影響する可能性がある有害でないまたは信頼性問題を高めることができる。から,欠陥を位置付け,装置のインテグリティに及ぼすそれらの実際の影響を評価するために過渡測定とT-CADシミュレーションと交配した低周波雑音(LFN)とランダムテレグラフノイズ(RTN)測定に基づく方法について述べた。バージンと応力印加のAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)に実現した。ゲート領域下およびAlGaN/GaN不動態化界面で電荷雑音測定とT-CADシミュレーションにより同定した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： HF【周波数】 ,  雑音測定 ,  *雑音 ,  不動態化 ,  信頼性 ,  パワーエレクトロニクス ,  トランジスタ ,  *シミュレーション ,  ロバスト性 ,  HEMT ,  電荷 ,  低周波雑音
準シソーラス用語： *AlGaN/GaN ,  ランダムテレグラフノイズ ,  信号完全性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 雑音 ,  CAD ,  シミュレーション ,  AlGaN ,  EMT ,  理解 ,  トラップ