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J-GLOBAL ID：201702263198822207   整理番号：17A1269779

60V電力pLDMOSデバイスのESDロバスト性に対する新規寄生SCRの影響【Powered by NICT】

Novel parasitic-SCR impacts on ESD robustness in the 60 V power pLDMOS devices

著者 (12件)： Chen Shen-Li (Department of Electronic Engineering, National United University, Taiwan) ,  Yang Chih-Hung (Department of Electronic Engineering, National United University, Taiwan) ,  Yen Chih-Ying (Department of Electronic Engineering, National United University, Taiwan) ,  Chen Kuei-Jyun (Department of Electronic Engineering, National United University, Taiwan) ,  Wu Yi-Cih (Department of Electronic Engineering, National United University, Taiwan) ,  Lin Jia-Ming (Dept. of Integrated Circuits Design and Engineering, School of Software and Microelectronics, Peking University, China) ,  Kuo Chun-Ting (Dept. of Integrated Circuits Design and Engineering, School of Software and Microelectronics, Peking University, China) ,  Lin Yu-Lin (Department of Electronic Engineering, National United University, Taiwan) ,  Chiu Yi-Hao (Department of Electronic Engineering, National United University, Taiwan) ,  Chao Yi-Hao (Department of Electronic Engineering, National United University, Taiwan) ,  Lo Jen-Hao (Dept. of Integrated Circuits Design and Engineering, School of Software and Microelectronics, Peking University, China) ,  Chen Hung-Wei (Department of Electronic Engineering, National United University, Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICCE-Taiwan  ページ： 381-382  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TSMC社の0.25μm,60Vプロセスにより作製したpLDMOS関連デバイスを調べた。ESD改善のために,いくつかのDUTへの電源は,ドレイン端またはガードリング領域における埋込みSCRを形成するN~+ゾーンを挿入することであった。テンションレグプラットホーム(TLP)試験結果から,ドレイン寄生SCR NPN型とpnp型のI_t2値は>7A,従来pLDMOS素子のそれ以上に達することができた。pLDMOS SCR NPN型のV_t1とV_h値はpnp型のそれよりも小さかった。pLDMOS SCR(環pn型)のV_h値はラッチアップ効果の高い免疫性のためのpLDMOS SCR(環pn type_Del Co)のそれより高かった。pLDMOS SCR(環pn型)のI_t2能力は3.223Aに達し,次に従来pLDMOS約251.8%増加した。pLDMOS SCR(環pn型)はESDロバスト性と抗ラッチアップ免疫のための良好な配置方法である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電力 ,  ラッチアップ ,  *ロバスト性

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (4件)： ESD ,  ロバスト性 ,  寄生 ,  SCR