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J-GLOBAL ID：201702263303261809   整理番号：17A0740650

高性能フォト検出用印刷可能な転写自由でウェハサイズのMoS₂/グラフェンvan der Waalsヘテロ構造

Printable Transfer-Free and Wafer-Size MoS₂/Graphene van der Waals Heterostructures for High-Performance Photodetection

著者 (8件)： LIU Qingfeng (Univ. Kansas, Kansas, USA) ,  COOK Brent (Univ. Kansas, Kansas, USA) ,  GONG Maogang (Univ. Kansas, Kansas, USA) ,  GONG Youpin (Univ. Kansas, Kansas, USA) ,  EWING Dan (Dep. of Energy’s National Security Campus, Missouri, USA) ,  CASPER Matthew (Dep. of Energy’s National Security Campus, Missouri, USA) ,  STRAMEL Alex (Dep. of Energy’s National Security Campus, Missouri, USA) ,  WU Judy (Univ. Kansas, Kansas, USA)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 14  ページ： 12728-12733  発行年： 2017年04月12日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2次元(2D)MoS₂/グラフェンvan der Waalsヘテロ構造は素晴らしいMoS₂の光ー固体相互作用と高性能オプトエレクトロニックスデバイス用グラフェン中の電荷移動度を集積化する。本稿で我々は高い応答性と光応答速度を有するMoS₂/グラフェンvan der Waalsヘテロ構造のフォト検出器の簡便で,印刷可能で,転写可能なウェハーサイズの作製方法を開発した。面倒なグラフェン転写プロセスを除去することで,出来上がった綺麗なMoS₂/グラフェン界面は高性能のオプトエレクトロニックスデバイスを導く。更に,このプロセスは市販のオプトエレクトロニックス用に例えば金属フリーのCVDで成長したグラフェン上のMoSe₂,WS₂とWSe₂の様な他の2D材料のvan der Waalsヘテロ構造のウェハーサイズの作製に拡張することが出来る。

シソーラス用語： 二次元 ,  *グラフェン ,  *積層構造 ,  *転写 ,  *光検出器 ,  *印刷 ,  キャリア移動度 ,  *ウエハ【IC】 ,  化合物半導体 ,  セレン化物 ,  モリブデン化合物 ,  タングステン化合物 ,  硫化物
準シソーラス用語： *van der Waalsヘテロ構造 ,  電荷移動度 ,  セレン化モリブデン ,  硫化タングステン ,  セレン化タングステン

分類 (2件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (9件)： 高性能 ,  フォト ,  転写 ,  ウェハ ,  サイズ ,  MoS2 ,  グラフェン ,  VAN ,  ヘテロ構造