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J-GLOBAL ID：201702263373093066   整理番号：17A1345356

重イオン照射後の通常オフGaNトランジスタにおけるシングルイベント効果のTCADシミュレーション【Powered by NICT】

TCAD Simulation of the Single Event Effects in Normally-OFF GaN Transistors After Heavy Ion Radiation

著者 (5件)： Zerarka M. (Institut de Recherche et Technologie Saint Exupery, Toulouse, France) ,  Austin P. (UPS and LAAS-CNRS, Universite ́ of Toulouse, Toulouse, France) ,  Bensoussan A. (Institut de Recherche et Technologie Saint Exupery, Toulouse, France) ,  Morancho F. (UPS and LAAS-CNRS, Universite ́ of Toulouse, Toulouse, France) ,  Durier A. (Institut de Recherche et Technologie Saint Exupery, Toulouse, France)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 64  号： 8  ページ： 2242-2249  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： これらのデバイスにおけるシングルイベント効果(SEE)の機構をより良く理解するために重イオン照射下での市販のノーマリオフGaN電力トランジスタの電気的挙動は技術計算機支援設計数値シミュレーションに基づいて提示した。最初に,最悪の場合は,シングルイベント過渡機構から定義されている。,照射とトラップ効果後観測された電場の減少を検討した。最後に,重イオン下でのこれらのデバイスのSEEの可能な機構を提案した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *トランジスタ ,  電力トランジスタ ,  *重イオン ,  CAD【計算機】 ,  *重イオン照射 ,  *シミュレーション ,  *窒化ガリウム ,  電場
準シソーラス用語： 数値シミュレーション ,  *TCAD ,  *SEE【事象】 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 重イオン照射 ,  オフ ,  GaN ,  トランジスタ ,  シングルイベント効果 ,  TCAD ,  シミュレーション