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J-GLOBAL ID：201702263383471656   整理番号：17A0591895

GaNエピタキシャル層における転位の光学的および構造的特性評価

Optical and Structural Characterization of Dislocations in GaN Epitaxial Layers

著者 (3件)： PARK Yong Choon (Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd., Kyounggi-do, KOR) ,  KIM Mi-Yang (Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd., Kyounggi-do, KOR) ,  YOON Young Joon (Korea Inst. Ceramic Engineering and Technol., Gyeongsangnam-do, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 17  号： 6  ページ： 4262-4266  発行年： 2017年06月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,内部欠陥に由来する非放射性再結合の調査のための効率的方法論を示唆するために,転位と光学特性の相関について報告した。水素化物気相エピタキシー成長により,C面サファイア基板上に未ドープGaNエピタキシャル層を約3μm 成長した。原子間力顕微鏡(AFM)と陰極ルミネセンス(CL)の同じ領域を識別可能にするフォトマスクを用いたリソグラフィーにより,約230μm×230μm の十字パターンを形成し,CLによるダークスポットとAFMによるエッチピットを比較し,CL像中のダークスポットを透過型電子顕微鏡(TEM)で同定した。著者等は,AFMの欠陥密度とCLの欠陥密度を比較した場合,AFM像からのエッチピットの数と位置は,CL像からの暗点の数と位置に正確に一致することを明らかにし,CL結果からのダークスポットが,断面TEM像を解釈するGaN中の貫通転位により引き起こされることを確認した。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *層 ,  *転位【結晶】 ,  *光学的性質 ,  *構造特性 ,  内部欠陥 ,  再結合 ,  エピタクシー ,  原子間力顕微鏡 ,  陰極線ルミネセンス ,  フォトリソグラフィー ,  点 ,  エッチピット ,  透過型電子顕微鏡 ,  欠陥密度 ,  貫通転位
準シソーラス用語： GaN ,  *エピタキシャル層 ,  *光学的特性 ,  *構造的特性 ,  水素化物気相エピタクシー ,  陰極ルミネセンス ,  ダークスポット

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  エピタキシャル層 ,  転位 ,  光学 ,  構造的特性 ,  評価