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J-GLOBAL ID：201702263604670646   整理番号：17A0270111

電着法で成長したCu(In_0.7,Ga_0.3)Se_0.2の微細構造と光学的特性間の相関

Correlation Between Microstructure and Optical Properties of Cu(In_0.7, Ga_0.3)Se₂ Grown by Electrodeposition Technique

著者 (2件)： CHIHI Adel (Centre des Rech. des Technol. l’energie Technopole Borj Cedria, Hammam Lif, TUN) ,  BESSAIS Brahim (Centre des Rech. des Technol. l’energie Technopole Borj Cedria, Hammam Lif, TUN)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 46  号： 1  ページ： 354-362  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 銅インジウムガリウムジセレニド(CIGSe)は第二世代薄膜太陽電池素子であり,多くの異なる組成および厚さの光学モデルが提案されているが,これらモデルではより大きな厚さおよび微細構造への考慮が払われていない。本論文では,銅フォイル上に電着法で成長したCIGSe薄膜の微細構造特性および表面組成に及ぼす室温ポテンシャル電着の効果について報告した。測定結果は,最適温度400°Cで30分アニーリングした膜が主にCu(In_0.7,Ga_0.3)Se₂多結晶黄銅鉱相により形成されることを示した。光学的特性およびCIGSe膜厚を三層光学モデルという観点のSE測定法により決定した。光吸収に関わる光学遷移のタイプは直接遷移となった。フィッティンググラフにより得た結果は光バンドギャップが微細構造の影響を受けることを示した。

シソーラス用語： *電着 ,  *インジウム化合物 ,  セレン化物 ,  ガリウム化合物 ,  銅化合物 ,  微細構造 ,  *光学的性質 ,  焼なまし ,  光学模型 ,  光吸収 ,  電子遷移
準シソーラス用語： 光学遷移

分類 (2件)： 光学的測定とその装置一般  (BD07010S) ,  第11族,第12族元素の錯体  (CE01050Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電着 ,  成長 ,  Cu ,  微細構造 ,  光学的特性 ,  相関