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J-GLOBAL ID：201702263690795467   整理番号：17A1711374

混合ヘテロ接合の光起電力性能と誘電特性に依存したジインデノペリレン(DIP)濃度【Powered by NICT】

Diindenoperylene (DIP) concentration dependent photovoltaic performance and dielectric properties for mixed heterojunctions

著者 (8件)： Zheng Yan Qiong (Key Laboratory of Advanced Display and System Applications of Ministry of Education, Shanghai University, P.O.B. 143, 149 Yanchang Rd., Shanghai 200072, PR China) ,  Wang Chao (Key Laboratory of Advanced Display and System Applications of Ministry of Education, Shanghai University, P.O.B. 143, 149 Yanchang Rd., Shanghai 200072, PR China) ,  Yu Jun Le (Key Laboratory of Advanced Display and System Applications of Ministry of Education, Shanghai University, P.O.B. 143, 149 Yanchang Rd., Shanghai 200072, PR China) ,  Yang Fang (Key Laboratory of Advanced Display and System Applications of Ministry of Education, Shanghai University, P.O.B. 143, 149 Yanchang Rd., Shanghai 200072, PR China) ,  Wei Bin (Key Laboratory of Advanced Display and System Applications of Ministry of Education, Shanghai University, P.O.B. 143, 149 Yanchang Rd., Shanghai 200072, PR China) ,  Lin Yang (Key Laboratory of Advanced Display and System Applications of Ministry of Education, Shanghai University, P.O.B. 143, 149 Yanchang Rd., Shanghai 200072, PR China) ,  Li Xi Feng (Key Laboratory of Advanced Display and System Applications of Ministry of Education, Shanghai University, P.O.B. 143, 149 Yanchang Rd., Shanghai 200072, PR China) ,  Adachi Chihaya (Center for Organic Photonics and Electronics Research (OPERA), Kyushu University, 744 Motooka, Nishi, Fukuoka 819-0395, Japan)
資料名： Synthetic Metals  (Synthetic Metals)
巻： 233  ページ： 35-40  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0123B  ISSN： 0379-6779  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ジインデノペリレン(DIP)混合ヘテロ接合(MHJs)の光起電力性能と誘電特性との間のいくつかの固有関連性を見出すために,本研究はDIP濃度に光起電力性能と誘電特性依存性を実証した。5wt%-DIP MHJは5wt%~ 90wt%の範囲でより高いDIP比を持つ他のMHJsと比較して相対的に高い性能を示した。ブレンド層の誘電定数はDIP比と共に減少するので,大きなCoulomb捕獲半径と励起子結合エネルギー,高DIP比MHJsにおける励起子解離を抑制するが得られた。,暗および照明下での容量-電圧(C V)と同様にDIP MHJsのための1.6Vのdcバイアスで容量-周波数(C f)の誘電特性を測定した。暗所でのC-V測定から導出されたMHJsの幾何学的静電容量はDIP濃度に正の依存性を示した。C-Vピーク高さDIP濃度とともに減少し0~60wt%が正孔ドリフトは,より高いDIP含有量で支配されるようになることを意味している。すべてMHJsの開回路電圧(OC)は,正規化されたビルトインポテンシャルと同一の傾向を示した。暗黒条件では,空乏層幅(W)は徐々にDIP濃度と共に減少し5wt%~60wt%であった。Wは照明下で狭くなり,光生成電荷から容量増加に起因した。自由キャリア密度(N_D)はMHJsの曲線因子に負の影響を与える。C-f特性により抽出された電子移動度はDIP比とともに徐々に減少する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 励起子 ,  結合エネルギー ,  *誘電性 ,  光生成 ,  電圧 ,  照明 ,  *光起電力 ,  誘電率 ,  空乏層 ,  捕獲 ,  *ヘテロ接合 ,  正孔 ,  静電容量
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  曲線因子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 混合ヘテロ接合 ,  ジインデノペリレン ,  濃度依存性 ,  容量-電圧

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (5件)： ヘテロ接合 ,  光起電力 ,  誘電特性 ,  ジインデノペリレン ,  DIP