文献

J-GLOBAL ID：201702263707057829   整理番号：17A1003932

原子層堆積にりるInP上に成長させたHfAlOゲート絶縁膜のバンドオフセットと界面特性

Band Offsets and Interfacial Properties of HfAlO Gate Dielectric Grown on InP by Atomic Layer Deposition

著者 (4件)： YANG Lifeng (Shanghai Inst. of Applied Physics, Chinese Acad. of Sci.) ,  WANG Tao (Fudan Univ.) ,  ZOU Ying (Shanghai Inst. of Applied Physics, Chinese Acad. of Sci.) ,  LU Hong-Liang (Fudan Univ.)
資料名： Nanoscale Research Letters (Web)  (Nanoscale Research Letters (Web))
巻： 12  号： 1  ページ： 12:339 (WEB ONLY)  発行年： 2017年12月 
JST資料番号： U7001A  ISSN： 1931-7573  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子層堆積によりInP上に成長させたHfO₂およびHfAlOゲート絶縁膜の界面特性をX線光電子分光法と高分解能透過電子顕微鏡法を用いて決定した。望ましくない界面InP_xO_y層がHfO₂/InP界面に容易に形成され,電気的性能を著しく低下させる可能性がある。しかし,InP上のHfAlO誘電体の成長が極薄Al₂O₃層から始まると急激な界面が達成される。HfAlO/InPヘテロ接合の価電子バンドおよび伝導バンドのオフセットは,それぞれ1.87±0.1及び2.83±0.1eVと測定された。これらの利点により,HfAlOはInP MOSFETの潜在的な誘電体になり得る。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 酸化ハフニウム ,  *化学蒸着 ,  リン化インジウム ,  半導体材料 ,  アルミン酸塩 ,  *ゲート絶縁膜 ,  薄膜成長 ,  ヘテロ接合 ,  伝導バンド ,  価電子バンド ,  MOSFET ,  バンドオフセット ,  *アラインメント
準シソーラス用語： *バンド整列 ,  二酸化ハフニウム ,  *原子層堆積

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 原子層堆積 ,  InP ,  成長 ,  ゲート絶縁膜 ,  バンドオフセット ,  界面特性