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J-GLOBAL ID：201702263845412362   整理番号：17A1383273

反応性スパッタリングにより作製したペロブスカイト酸窒化物SrTaO_2N薄膜の厚さの関数としての蒸着と誘電的研究【Powered by NICT】

Deposition and dielectric study as function of thickness of perovskite oxynitride SrTaO₂N thin films elaborated by reactive sputtering

著者 (8件)： Marlec F. (Institut d’Electronique et de Telecommunications de Rennes (IETR), Equipe Materiaux Fonctionnels, IUT Saint-Brieuc, Universite de Rennes 1, 22000 Saint Brieuc, France) ,  Le Paven C. (Institut d’Electronique et de Telecommunications de Rennes (IETR), Equipe Materiaux Fonctionnels, IUT Saint-Brieuc, Universite de Rennes 1, 22000 Saint Brieuc, France) ,  Le Gendre L. (Institut d’Electronique et de Telecommunications de Rennes (IETR), Equipe Materiaux Fonctionnels, IUT Saint-Brieuc, Universite de Rennes 1, 22000 Saint Brieuc, France) ,  Benzerga R. (Institut d’Electronique et de Telecommunications de Rennes (IETR), Equipe Materiaux Fonctionnels, IUT Saint-Brieuc, Universite de Rennes 1, 22000 Saint Brieuc, France) ,  Chevire F. (Institut des Sciences Chimiques de Rennes (ISCR - UMR CNRS 6226), Equipe Verres et Ceramiques, Universite de Rennes 1, 35042 Rennes cedex, France) ,  Tessier F. (Institut des Sciences Chimiques de Rennes (ISCR - UMR CNRS 6226), Equipe Verres et Ceramiques, Universite de Rennes 1, 35042 Rennes cedex, France) ,  Gam F. (Institut d’Electronique et de Telecommunications de Rennes (IETR), Equipe Materiaux Fonctionnels, IUT Saint-Brieuc, Universite de Rennes 1, 22000 Saint Brieuc, France) ,  Sharaiha A. (Institut d’Electronique et de Telecommunications de Rennes (IETR), Equipe Materiaux Fonctionnels, IUT Saint-Brieuc, Universite de Rennes 1, 22000 Saint Brieuc, France)
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 324  ページ： 607-613  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究はペロブスカイト酸窒化物SrTaO_2N薄膜の蒸着と低周波数での誘電特性評価に関するものである。これら高周波スパッタ薄膜を600~900°Cの範囲の基板温度で反応性プラズマ(92.3vol.%Ar/7 0.7vol.%N_2)下で得られた。X線回折とバンドギャップ測定により示されるように,堆積温度(T_S)は膜構造を決定し,T_S増加とSrTaO_2Nバルク材料のそれに近いバンドギャップと細胞体積のフィルムがもたらされた。誘電研究は,導電性ニオブをドープしたSrTiO_3基板と厚さ30から900nmの範囲の膜の上に蒸着した多結晶,組織性およびエピタクシャルSrTaO_2N層上で行った。関連誘電率が66.5から90に変化する(@10kHz,室温)。これら低い値は,誘電率値に,その厚みのために,膜の結晶学的歪の影響を指摘しなかった。後者は100kHzまでの周波数の如何にかかわらずであり,外部DC電圧の印加時に変化しなかった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 多結晶 ,  導電性 ,  LF【周波数】 ,  エピタクシー ,  *反応性スパッタリング ,  直流電圧 ,  ニオブ ,  誘電性 ,  誘電率 ,  バンドギャップ ,  *薄膜 ,  ドーピング ,  基板温度 ,  膜構造
準シソーラス用語： *オキシナイトライド , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： オキシ窒化物 ,  ペロブスカイト ,  薄膜 ,  反応性スパッタリング ,  エピタクシー ,  Permittivity

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (9件)： 反応性スパッタリング ,  作製 ,  ペロブスカイト ,  酸窒化物 ,  薄膜 ,  厚さ ,  関数 ,  蒸着 ,  研究