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J-GLOBAL ID:201702264010499723   整理番号:17A0446183

滑らかに制御された組成を持つ高速反応性H iPIMSによって作製したHf-O-N薄膜の構造と性質【Powered by NICT】

Structure and properties of Hf-O-N films prepared by high-rate reactive HiPIMS with smoothly controlled composition
著者 (7件):
資料名:
巻: 43  号:ページ: 5661-5667  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0705A  ISSN: 0272-8842  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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種々のAr+O_2+N_2ガス混合物中のHfの高出力インパルスマグネトロンスパッタリングによる薄膜の形で作製したハフニウム酸窒化物セラミック。プラズマ中での解離度を最大化し,非解離O_2とN_2の反応性の違いの重要性を抑制することにより達成された平滑組成制御。膜の応用の可能性は,非常に高い堆積速度(例えば化学量論HfO_2の230nm/min;フィードバックパルス反応性ガス流制御により達成した),低堆積温度(<140°C)によって強化され,任意の基板バイアスを用いたなかった。を,元素組成,相構造,および材料の光学的,電気的,機械的及び疎水性特性の間の関係に焦点を当てた。酸化窒化への遷移に沿って滑らかに制御された膜特性の変化を定量化し,消衰係数を増加させ,電気抵抗率を低下させ,硬さを増加させるか,または水滴接触角の増加などである。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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セラミック・磁器の性質  ,  酸化物薄膜 
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