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J-GLOBAL ID：201702264043585041   整理番号：17A0996542

高バンドギャップ固有領域を有するAlGaAs n-i-p太陽電池の耐放射線性【Powered by NICT】

Radiation hardness of AlGaAs n-i-p solar cells with higher bandgap intrinsic region

著者 (6件)： Walker A.W. (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems ISE, Heidenhofstrasse 2, 79110 Freiburg, Germany) ,  Heckelmann S. (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems ISE, Heidenhofstrasse 2, 79110 Freiburg, Germany) ,  Tibbits T. (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems ISE, Heidenhofstrasse 2, 79110 Freiburg, Germany) ,  Lackner D. (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems ISE, Heidenhofstrasse 2, 79110 Freiburg, Germany) ,  Bett A.W. (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems ISE, Heidenhofstrasse 2, 79110 Freiburg, Germany) ,  Dimroth F. (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems ISE, Heidenhofstrasse 2, 79110 Freiburg, Germany)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 168  ページ： 234-240  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaAs単一接合太陽電池の耐放射線性は様々なn-i-p太陽電池設計のために研究した。両n-p領域における材料組成はそれぞれ3.5%および16%Al含有量の間で変化し,一方,真性領域は3.5%と23%の間のより高いAl含有量を持っている。寿命初期と終末期量子効率と電流-電圧特性は,材料バンドギャップの関数としての傾向を確立するために検討した。増加AlGaAsのAl含有量は85%を残存効率までの太陽電池の放射線耐性を増加させる傾向があった。Al含有量が増加するとこの増強はほとんど初期性能の劣化によるものであることを改善された開回路電圧残りの因子に起因している。しかし,真性領域,塩基/真性ヘテロ界面における少数キャリアのポテンシャル障壁に部分的に起因する中のAl含有量の増加で観察された光電流の分解。一般に,真性領域のバンドギャップを増加させる耐放射線性を改善するが,少数キャリアのポテンシャル障壁の形成は避けなければならない。拡散長さと損傷係数も量子効率モデリングによって抽出した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光電流 ,  *耐放射線性 ,  モデリング ,  電流 ,  *バンドギャップ ,  少数キャリア ,  *アルミニウム ,  拡散距離 ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  ポテンシャル障壁 ,  量子効率 ,  *太陽電池
準シソーラス用語： ヘテロ界面 ,  開回路電圧 ,  電圧プロフィル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： AlGaAs ,  n-i-p太陽電池 ,  耐放射線性 ,  終末期 ,  拡散長 ,  デバイスモデリング

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： バンドギャップ ,  固有 ,  AlGaAs ,  太陽電池 ,  耐放射線性