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J-GLOBAL ID：201702264068146559   整理番号：17A0869529

ビス〔ビス(トリメチルシリル)アミノ〕錫(II)からの,酸化錫薄膜のオゾンと水を利用した原子層堆積

Atomic layer deposition of tin oxide thin films from bis[bis(trimethylsilyl)amino]tin(II) with ozone and water

著者 (9件)： Tupala Jere (Department of Chemistry, University of Helsinki, P.O. Box 55, FI-00014, Helsinki, Finland) ,  Kemell Marianna (Department of Chemistry, University of Helsinki, P.O. Box 55, FI-00014, Helsinki, Finland) ,  Mattinen Miika (Department of Chemistry, University of Helsinki, P.O. Box 55, FI-00014, Helsinki, Finland) ,  Meinander Kristoffer (Division of Materials Physics, Department of Physics, University of Helsinki, P.O. Box 43, FI-00014, Helsinki, Finland) ,  Seppaelae Sanni (Department of Chemistry, University of Helsinki, P.O. Box 55, FI-00014, Helsinki, Finland) ,  Hatanpaeae Timo (Department of Chemistry, University of Helsinki, P.O. Box 55, FI-00014, Helsinki, Finland) ,  Raeisaenen Jyrki (Division of Materials Physics, Department of Physics, University of Helsinki, P.O. Box 43, FI-00014, Helsinki, Finland) ,  Ritala Mikko (Department of Chemistry, University of Helsinki, P.O. Box 55, FI-00014, Helsinki, Finland) ,  Leskelae Markku (Department of Chemistry, University of Helsinki, P.O. Box 55, FI-00014, Helsinki, Finland)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 35  号： 4  ページ： 041506-041506-8  発行年： 2017年07月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化錫薄膜を,ビス〔ビス(トリメチルシリル)アミノ〕錫(II)からオゾンと水を利用して,原子層堆積法(ALD)により成長させた。酸化錫薄膜のALD成長速度を,基板温度,前駆体ドーズ,およびALDサイクル回数に関して調査した。オゾンを伴う2つのALDウィンドウ(80~100°Cおよび125~200°C)が観測された。ソーダ石灰ガラス上とシリコン基板上の薄膜成長は,基板全面にわたり一様であった。水プロセスを用いた場合,100~250°Cにおける成長速度は0.05~0.18Å/cycleであり,オゾンプロセスを用いた場合,80~200°Cにおける成長速度は0.05~0.11Å/cycleであった。薄膜は組成と形態についてさらに調査した。水を利用して堆積した薄膜は,正方晶SnO相を含む結晶性を示し,空気中のアニールによりSnO₂相が現れ,薄膜の導電率は上昇する。オゾンを利用して堆積したすべての薄膜は不純物としてシリコンを含み,堆積直後もアニール後も,非晶質で非電導性であった。I-V測定により調べられるpn接合を形成する目的で,薄膜はさらにTiO₂ナノチューブ内に堆積した。TiO₂ナノ構造は,プロセスのコンフォーマリティのための試験構造として機能した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  スズ錯体 ,  *オゾン ,  *水 ,  *酸化スズ ,  *成長速度 ,  基板温度 ,  前駆体 ,  基板 ,  ケイ素 ,  ソーダ石灰ガラス ,  均一性 ,  熱処理 ,  *電気伝導率 ,  電流電圧特性 ,  PN接合 ,  ナノチューブ ,  酸化チタン ,  非晶質 ,  正方晶系
準シソーラス用語： *原子層堆積

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： ビス ,  錫 ,  酸化錫 ,  薄膜 ,  オゾン ,  水 ,  原子層堆積