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J-GLOBAL ID：201702264156721000   整理番号：17A0475056

SiとGeにおけるレーザアニーリング:異常な物理的側面とモデリングアプローチ【Powered by NICT】

Laser annealing in Si and Ge: Anomalous physical aspects and modeling approaches

著者 (15件)： Lombardo S.F. (Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM), VIII Strada 5, 95121 Catania, Italy) ,  Lombardo S.F. (Dipartimento di Fisica e Astronomia, Universita di Catania, Via Santa Sofia 64, 95125 Catania, Italy) ,  Boninelli S. (Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM), Via S. Sofia 64, 95123 Catania, Italy) ,  Cristiano F. (LAAS, CNRS and University of Toulouse, 7 av. Du Col. Roche, 31400 Toulouse, France) ,  Fisicaro G. (University of Basel University of Basel, Klingelbergstrasse 82, CH-4056 Basel, Switzerland) ,  Fortunato G. (Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM), VIII Strada 5, 95121 Catania, Italy) ,  Grimaldi M.G. (Dipartimento di Fisica e Astronomia, Universita di Catania, Via Santa Sofia 64, 95125 Catania, Italy) ,  Grimaldi M.G. (Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM), Via S. Sofia 64, 95123 Catania, Italy) ,  Impellizzeri G. (Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM), Via S. Sofia 64, 95123 Catania, Italy) ,  Italia M. (Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM), VIII Strada 5, 95121 Catania, Italy) ,  Marino A. (Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM), VIII Strada 5, 95121 Catania, Italy) ,  Milazzo R. (CNR-IMM MATIS and Dipartimento di Fisica Astronomia, Universita di Padova, Via Marzolo 8, 35131 Padova, Italy) ,  Napolitani E. (CNR-IMM MATIS and Dipartimento di Fisica Astronomia, Universita di Padova, Via Marzolo 8, 35131 Padova, Italy) ,  Privitera V. (Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM), Via S. Sofia 64, 95123 Catania, Italy) ,  La Magna A. (Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM), VIII Strada 5, 95121 Catania, Italy)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 62  ページ： 80-91  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強い,一時的と局所的熱源が一電子デバイス製造や他のナノ技術応用のために必要であるときの半導体材料のレーザアニーリングは興味ある適用特徴を提供する加工技術である。誘起熱場(ナノ秒/ナノメートルスケール)の空間時間局所化により,ごく最近系統的に調べ,モデル化した加工材料の興味深い非平衡現象を促進した。本レビュー論文では,パルスレーザ照射中の注入したシリコンとゲルマニウム(すなわち障害の薄層は,SiとGeの合金を希釈し,注入条件に応じて可変初期障害状態)で発生する異常動力学に関する現在の知識を論じた。特に,過渡溶融段階における異常な不純物再分布と非従来型および準安定拡張欠陥の形成に注目した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： パルスレーザ照射 ,  ナノテクノロジー ,  再分布 ,  *レーザアニーリング ,  半導体材料 ,  *モデリング ,  熱源 ,  *ケイ素 ,  非平衡状態 ,  不純物 ,  ナノ秒 ,  *ゲルマニウム
準シソーラス用語： 拡張欠陥 ,  局在化 ,  加工技術 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： レーザアニーリング ,  フェーズフィールドモデリング ,  非平衡拡散

分類 (5件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  光導電素子  (NC03083X) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  Ge ,  レーザアニーリング ,  物理 ,  モデリング