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J-GLOBAL ID：201702264399111399   整理番号：17A1482416

複雑なタイプII InGaAs/InAs/GaAsSbナノスケールヘテロ構造の一軸歪に誘起された光学的性質【Powered by NICT】

Uniaxial strain induced optical properties of complex type-II InGaAs/InAs/GaAsSb nano-scale heterostructure

著者 (5件)： Bhardwaj Garima (Department of Electronics, Banasthali University, Banasthali, 304022 Rajasthan, India) ,  Yadav Nisha (Department of Physics, Banasthali University, Banasthali, 304022 Rajasthan, India) ,  Anjum S.G. (Department of Electronics, F/o of Engineering & Technology, Aligarh Muslim University, Aligarh 202002, UP, India) ,  Siddiqui M.J. (Department of Electronics, F/o of Engineering & Technology, Aligarh Muslim University, Aligarh 202002, UP, India) ,  Alvi P.A. (Department of Physics, Banasthali University, Banasthali, 304022 Rajasthan, India)
資料名： Optik  (Optik)
巻： 146  ページ： 8-16  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0251A  ISSN： 0030-4026  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導性ヘテロ構造は光学利得と遷移エネルギーあるいは波長の同調の観点から余分な自由度を提供する。外部一軸歪による二元および三元QW(量子井戸)ヘテロ構造における光学遷移における波動関数と変化の修飾はヘテロ構造の光学特性に関する貴重な洞察を提供した。本論文では,[001]に沿った一軸性歪み,光学利得のような光学的性質に及ぼす[100]と[110],六バンドk.p理論を用いたInAs材料の二量子井戸のW形複合体タイプII InGaAs/InAs/GaAsSbナノ規模ヘテロ構造の光学遷移エネルギーの影響を報告した。研究で得られた結果に基づいて,TEおよびTM光学利得は[110]に沿った一軸歪の適用によって向上させることができることを報告できた。も[100]に沿った歪はTM光学利得に有用であるが,[001]に沿った歪の適用であるTE光学利得の改善に有用であることを報告した。タイプII InGaAs/InAs/GaAsSbナノヘテロ構造におけるTE及びTMモード利得と同様に遷移エネルギーは方向の選択に沿った一軸歪の適用によって制御することができる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,  遷移エネルギー ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *光学的性質 ,  波長 ,  波動関数 ,  TMモード ,  利得 ,  量子井戸
準シソーラス用語： *ヒ化アンチモン化ガリウム ,  光学遷移 ,  光利得 ,  *一軸歪 ,  *ヘテロ構造 ,  *ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 一軸歪 ,  光学利得 ,  InAs ,  InGaAs ,  GaAsSb ,  k・p法

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (9件)： タイプ ,  InGaAs ,  InAs ,  GaAsSb ,  ナノスケール ,  ヘテロ構造 ,  一軸歪 ,  誘起 ,  光学的性質