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J-GLOBAL ID：201702264418111502   整理番号：17A1181723

重ほう素ドープ水素化Geエピ層の低温成長とGe/Si光検出器への応用【Powered by NICT】

Low temperature growth of heavy boron-doped hydrogenated Ge epilayers and its application in Ge/Si photodetectors

著者 (6件)： Kuo Wei-Cheng (Institute of Materials Science and Engineering, National Central University, Taiwan) ,  Lee Ming Jay (Department of Optics and Photonics, National Central University, Taiwan) ,  Wu Mount-Learn (Department of Optics and Photonics, National Central University, Taiwan) ,  Lee Chien-Chieh (Optical Science Center, National Central University, Taiwan) ,  Tsao I-Yu (Institute of Materials Science and Engineering, National Central University, Taiwan) ,  Chang Jenq-Yang (Department of Optics and Photonics, National Central University, Taiwan)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 130  ページ： 41-44  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,高濃度ほう素ドープ水素化Geエピ層は,低い成長温度(220°C)でSi基板上に成長させた。ほう素をドープしたエピ層の品質は水素流量に依存する。発光分光,X線回折とH all測定の結果は良好な品質ほう素ドープGeエピ層は,低い水素流量(0sccm)で得られることを示した。品質におけるこの減少は,ソースガス中の水素の過剰,Ge表面上のGe-Ge結合の一つを破壊し,不必要なダングリングボンドの形成につながるによるものであった。ほう素をドープしたGeエピ層の構造は透過型電子顕微鏡と原子間力顕微鏡により解析した。添加では,異なる水素流速下で生産されたほう素をドープしたGeエピ層を用いて作製したGe/Si光検出器のI-V特性に基づいて,性能を調べた。低水素流量(0sccm)を用いて製造したほう素をドープしたGeエピ層と光検出器は0.144A/Wの高い応答性と1Vの逆バイアスで5.33×10~ 7Aの低い暗電流を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 品質 ,  *ゲルマニウム ,  X線回折 ,  *ホウ素 ,  *水素 ,  暗電流 ,  *ドーピング ,  電流電圧特性 ,  流量 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *水素化 ,  *光検出器 ,  化学蒸着 ,  原子間力顕微鏡
準シソーラス用語： *エピタキシャル層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 重ドープした ,  光検出器 ,  Ge/Si ,  低温度 ,  電子サイクロトロン共鳴化学蒸着

分類 (3件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (9件)： ほう素 ,  ドープ ,  水素化 ,  Ge ,  エピ層 ,  低温成長 ,  Si ,  光検出器 ,  応用