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J-GLOBAL ID：201702264568093455   整理番号：17A1057749

パルスレーザ蒸着における制御酸素分圧によるRuddlesden-Popperストロンチウムイリジウム酸化物エピタキシャル膜の選択的成長【Powered by NICT】

Selective growth of Ruddlesden-Popper strontium iridate epitaxial films by controlling oxygen partial pressure in pulsed laser deposition

著者 (7件)： Chen Bin-Jie (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Yang Nan (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Zhong Ni (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Tang Xiao-Dong (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Yang Ping-Xiong (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Xiang Ping-Hua (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Duan Chun-Gang (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 202  ページ： 96-98  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ruddlesden-Popper(RP)型イリジウム酸ストロンチウム(SrIrO_3とSr_2IrO_4)エピタキシャル薄膜を,パルスレーザ蒸着を用いた単一Sr_2IrO_4ターゲットから選択的に成長した。SrIrO_3とSr_2IrO_4相の安定化は酸素分圧(P_O2)に敏感である。低レーザフルエンスは,純粋なSr_2IrO_4膜の成長窓を拡大する傾向にある。P_O2(≦2.6Pa)はSr_2IrO_4膜を作製するために適用されているが,一方SrIrO_3相はより高いP_O2(≧6.5Pa)で形成した。SrIrO_3とSr_2IrO_4膜の成長図をまとめ,単一RP型イリジウム酸ストロンチウム相のエピタキシャル膜を作製するための強力なガイドラインを提供している。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 薄膜 ,  *ストロンチウム ,  *パルスレーザ蒸着 ,  *選択成長 ,  *エピタクシー ,  *イリジウム ,  *酸化イリジウム
準シソーラス用語： レーザフルエンス ,  *エピタキシャル膜 ,  *酸素分圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 薄膜 ,  エピタキシャル成長 ,  パルスレーザ蒸着 ,  酸素分圧

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： パルスレーザ蒸着 ,  酸素分圧 ,  ストロンチウム ,  イリジウム酸化物 ,  エピタキシャル膜 ,  選択的成長