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J-GLOBAL ID：201702264647015675   整理番号：17A1262386

分子ビームエピタクシーによるGaN再成長を用いた1.1kV垂直GaN PNダイオード【Powered by NICT】

1.1-kV Vertical GaN p-n Diodes With p-GaN Regrown by Molecular Beam Epitaxy

著者 (8件)： Hu Zongyang (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, NY, USA) ,  Nomoto Kazuki (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, NY, USA) ,  Qi Meng (Department of Electrical Engineering, University of Notre Dame, Notre Dame, IN, USA) ,  Li Wenshen (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, NY, USA) ,  Zhu Mingda (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, NY, USA) ,  Gao Xiang (IQE RF LLC, Somerset, NJ, USA) ,  Jena Debdeep (Department of Materials Science and Engineering, School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, NY, USA) ,  Xing Huili Grace (Department of Materials Science and Engineering, School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, NY, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 8  ページ： 1071-1074  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バルクGaN基板上の高電圧垂直再成長させたp-n接合ダイオードを有機金属化学蒸着で成長させたn-GaNドリフト領域に分子ビームエピタクシー再成長p-GaNを本論文で報告した。最高絶縁破壊電圧は 1135Vで測定し,微分オン抵抗は室温で3.9mOhm cm~2であった。順方向I Vは3.9V付近にターンオン電圧と2.5の理想因子を示した。再成長させたp-n接合のエレクトロルミネセンス測定は,成長したままのp-n接合と比較して減少発光強度~30倍を示し,再成長プロセスによって導入された過剰な非放射再結合中心の存在を示した。温度依存逆I-V測定は,枯渇再成長させたp-GaN層内の可変領域ホッピングは,逆漏洩電流の機構であることを示唆した。これはGaN系で報告された最初の高電圧垂直再成長させたp-n接合である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *MBE成長 ,  漏れ電流 ,  接合ダイオード ,  *窒化ガリウム ,  PN接合 ,  MOCVD ,  温度依存性 ,  オン抵抗 ,  エレクトロルミネセンス ,  ドリフト
準シソーラス用語： 発光強度 ,  理想因子 ,  ターンオン電圧 ,  絶縁破壊電圧 ,  *再成長 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 分子ビームエピタクシー ,  GaN ,  再成長 ,  垂直 ,  PN ,  ダイオード