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J-GLOBAL ID：201702264714050026   整理番号：17A0526717

クリティカルディメンジョン計測用の原子間力顕微鏡法の進歩

Advances in the atomic force microscopy for critical dimension metrology

著者 (5件)： HUSSAIN Danish (Harbin Inst. of Technol., Harbin, CHN) ,  AHMAD Khurshid (Harbin Inst. of Technol., Harbin, CHN) ,  AHMAD Khurshid (Univ. Engineering and Technol. Peshawar, PAK) ,  SONG Jianmin (Harbin Inst. of Technol., Harbin, CHN) ,  XIE Hui (Harbin Inst. of Technol., Harbin, CHN)
資料名： Measurement Science and Technology  (Measurement Science and Technology)
巻： 28  号： 1  ページ： 012001,1-26  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： C0354C  ISSN： 0957-0233  CODEN： MSTCEP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： クリティカルディメンジョン(CD)計測は半導体プロセスにおける重要な部分である。CD計測はプロセス制御及び高品質素子の製造を保証する。原子間力顕微鏡(AFM)に基づくCD計測の著しい進歩にも係わらず,まだ幾つかの課題が残っている。本論文では,AFMに基づくCD計測における重要な発展と課題について解説し,将来を展望した。まず,CD計測法について概説した。次に,CD計測用のAFMにおける先端部と試料の相互作用とフィードバック制御について述べた。特別のプローブと走査アルゴリズムの進歩について論じた。圧電走査装置のヒステリシスとクリープの補償,較正,標準物質の製造と特性化,及び先端部の特性化について述べた。複合計測法の最近の進歩を紹介し,将来を展望した。

シソーラス用語： *半導体プロセス ,  *長さ ,  *電子顕微鏡観察 ,  原子間力顕微鏡 ,  計測 ,  ナノ構造 ,  キャリブレーション ,  リソグラフィー ,  走査電子顕微鏡 ,  回路パターン形成
準シソーラス用語： *クリティカルディメンジョン ,  限界寸法 ,  寸法計測学

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： クリティカルディメンジョン ,  計測 ,  原子間力顕微鏡法