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J-GLOBAL ID：201702264810518992   整理番号：17A1488544

高電力RF応用のための20nmゲートInAlN/GaN高電子移動度トランジスタのDCおよびマイクロ波特性【Powered by NICT】

DC and microwave characteristics of 20 nm T-gate InAlN/GaN high electron mobility transistor for high power RF applications

著者 (5件)： Murugapandiyan P. (Research Scholar, Faculty of Information and Communication Engineering, Anna University, Chennai, Tamilnadu, India) ,  Ravimaran S. (Department of Electrical and Computer Science, M.A.M College of Engineering, Trichy, Tamilnadu, India) ,  William J. (Department of Electronics and Communication Engineering, M.A.M. College of Engineering and Technology, Trichy, Tamilnadu, India) ,  Ajayan J. (Department of Electronics and Communication Engineering, SNS College of Technology, Coimbatore, Tamilnadu, India) ,  Nirmal D. (Department of Electronics and Communication Engineering, Karunya University, Coimbatore, Tamilnadu, India)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 109  ページ： 725-734  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強くドープしたソースとドレイン領域を持つSiC基板上の20nmゲート長(L_g)InAlN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)のDCおよびマイクロ波特性をシノプシスTCADツールを用いた空乏モード(Dモード)とエンハンスメントモード(Eモード)運転の両方について調べた。シミュレーションは,ドリフト拡散モデルを用いて室温で行った。デバイス埋込みTゲート構造,InGaNバック障壁とAl_2O_3不動態化素子表面の特徴を示した。提案した新しいLg=20nm,2×40μm Dモード(Eモード)HEMTは2.7(2.6)mm,1.04(1.63)mmの相互コンダクタンス(g_m),電流利得カットオフ周波数(f_t)310(343)GHz,電力利得カットオフ周波数(f_max)364(236)GHzのピークドレイン電流密度(I_dmax)を示した。測定したキャリア移動度(μ),シート電荷キャリア密度(n_s)と破壊電圧はそれぞれ1580(1615)cm~/vs,1.9×10~13(1.93)Cm~ 2と10.7(12.8)Vであった。提案したHEMTのsuperlativesは将来のサブミリ波大電力高周波VLSI回路応用のためのbewitching競合した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *HEMT ,  相互コンダクタンス ,  サブミリ波 ,  遮断周波数 ,  キャリア移動度 ,  *窒化ガリウム ,  不動態化 ,  ドーピング
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 ,  ドレイン電流 ,  電流利得 ,  エンハンスメントモード ,  TCAD ,  ゲート長 ,  *マイクロ波特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： H EMT ,  バックバリア ,  リセスゲート ,  カットオフ周波数 ,  短チャネル効果

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 高電力 ,  RF ,  応用 ,  ゲート ,  InAlN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  DC ,  マイクロ波特性