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J-GLOBAL ID：201702264930286524   整理番号：17A0696021

二重障壁共鳴トンネルダイオードの負性微分電気伝導率の磁場依存性

Magnetic Field Dependence of Negative Differential Conductivity in Double Barrier Resonant Tunneling Diodes

著者 (4件)： ZHOU D.M. (Univ., Chinese Acad. Sci.) ,  ZHOU D.M. (Shanghai Inst. Technical Physics, Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  ZHOU D.M. (Univ. Duisburg-Essen, Duisburg, DEU) ,  XIONG D.Y. (East China Normal Univ., Shanghai, CHN)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 16  号： 8  ページ： 8055-8060  発行年： 2016年08月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InAs量子ドット(QD)を有するAlAs/GaAs/AlAs共鳴トンネルダイオード(RTD)の輸送に及ぼす非対称スペーサ層の影響を調べた。活性領域の異なる三種類の量子ドットRTD素子の電流電圧特性を比べた。運動量保存則を検討するために,量子井戸中の二次元閉込め状態とエミッタ側の三次元閉込め状態からトンネリング過程を調べた。試料はGaAs基板上にMBE成長により作製した。共鳴トンネリング電流のピーク電圧は「アームレバー」因子λにより決定した。また,トンネリング時の面内運動量とエネルギー保存の要請により,B||Jのときトンネリングピークは高電圧側にシフトし,固定バイアス電圧でB||Jのとき,連続Landau準位は電流を振動させた。

シソーラス用語： *共鳴トンネルダイオード ,  *電気伝導率 ,  ヒ化インジウム ,  量子ドット ,  *化合物半導体 ,  半導体材料 ,  ヒ化アルミニウム ,  ヒ化ガリウム ,  電流電圧特性 ,  保存則 ,  トンネル効果 ,  電流 ,  Landau準位
準シソーラス用語： トンネル電流 ,  運動量保存則 ,  磁場依存性 ,  半導体量子ドット ,  *負性微分伝導率

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： 障壁 ,  共鳴トンネルダイオード ,  微分 ,  電気伝導率 ,  磁場依存性