Institute of MicroElectronics, Chinese Academy of Sciences について
Yang Hong について
Institute of MicroElectronics, Chinese Academy of Sciences について
Wang Yanrong について
Institute of MicroElectronics, Chinese Academy of Sciences について
Wang Wenwu について
Institute of MicroElectronics, Chinese Academy of Sciences について
Luo Weichun について
Institute of MicroElectronics, Chinese Academy of Sciences について
Qi Luwei について
Institute of MicroElectronics, Chinese Academy of Sciences について
Li Junfeng について
Institute of MicroElectronics, Chinese Academy of Sciences について
Zhao Chao について
Institute of MicroElectronics, Chinese Academy of Sciences について
Chen Dapeng について
Institute of MicroElectronics, Chinese Academy of Sciences について
Ye Tianchun について
Institute of MicroElectronics, Chinese Academy of Sciences について
Chinese Physics B について
トンネル効果 について
誘電体薄膜 について
モンテカルロ法 について
パーコレーション について
MOSFET について
シミュレーション について
べき乗則 について
トラップ密度 について
生成速度 について
TDDB について
キネティックモンテカルロ について
ゲートスタック について
生成モデル について
電位依存性 について
メタルゲート について
高k金属ゲート について
TDDB について
パーコレーション理論 について
kineticモンテカルロ法 について
トラップ生成モデル について
トランジスタ について
固体デバイス製造技術一般 について
金属ゲート について
MOSデバイス について
電位依存性 について
トラップ について
生成モデル について