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J-GLOBAL ID：201702265050300333   整理番号：17A1639017

パワーエレクトロニクス応用のための高K/low K化合物誘電体構造を用いた高破壊電圧垂直GaN PNダイオードの設計【Powered by NICT】

Design of high breakdown voltage vertical GaN p-n diodes with high-K/low-K compound dielectric structure for power electronics applications

著者 (7件)： Du Jiangfeng (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, PR China) ,  Du Jiangfeng (Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, Mappin Street, Sheffield, S1 3JD, UK) ,  Li Zhenchao (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, PR China) ,  Liu Dong (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, PR China) ,  Bai Zhiyuan (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, PR China) ,  Liu Yang (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, PR China) ,  Yu Qi (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, PR China)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 111  ページ： 302-309  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,高K/low K化合物誘電体構造(GaN CD VGD)を有する垂直GaN PNダイオードを提案し,低比オン抵抗(R)と記録的に高い降伏電圧(BV)を達成するために設計した。化合物誘電体構造を導入することにより,p-n接合界面近傍の電場は高K不動態化層の効果のために抑制され,新しい電場ピークはn型ドリフト領域に誘起された,高Kと低K層の界面での電場の不連続性のためである。GaNp-nダイオード中の電場の分布はより均一になると破壊電圧の増強を達成することができた。数値シミュレーションは14.3mΩcm~2の10650VとRのBVをもつGaN CD VGD,記録的に高い性能指数8GW/cm2であったことを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 不動態化 ,  *窒化ガリウム ,  *ダイオード ,  *誘電体 ,  性能指数 ,  ドリフト ,  電場 ,  *パワーエレクトロニクス ,  界面 ,  オン抵抗 ,  不連続性
準シソーラス用語： 数値シミュレーション ,  接合界面 ,  *絶縁破壊電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： 窒化ガリウム ,  ダイオード ,  絶縁破壊電圧 ,  高K ,  低K ,  垂直 ,  パワーデバイス

分類 (2件)： ポーラロン,電子-フォノン相互作用  (BM02130P) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (9件)： パワーエレクトロニクス ,  応用 ,  誘電体 ,  破壊電圧 ,  垂直 ,  GaN ,  PN ,  ダイオード ,  設計