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J-GLOBAL ID：201702265053267633   整理番号：17A1426966

株を改変したMgZnO層上に成長させたa面GaN/AlGaN量子井戸レーザの光学利得特性【Powered by NICT】

Optical gain characteristics of a-plane GaN/AlGaN quantum well lasers grown on strain-engineered MgZnO layer

著者 (1件)： Park Seoung-Hwan (Department of Electronics Engineering, Catholic University of Daegu, Hayang, Kyeongsan, Kyeongbuk 38430, Republic of Korea)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 521  ページ： 32-35  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ひずみ処理されたMgZnO層を用いた歪異方性を持つGaNバッファ上に成長させたa面(112 0)AlGaN/GaN量子井戸(QW)レーザの光利得特性を多バンド有効質量理論を用いて調べた。MgZnO層上に成長させたQW構造に対して計算された遷移エネルギーは実験結果と良く一致した。QW構造の最上価電子サブバンドを構成する支配的な状態は,Y’>-変化Z′>のように,キャリアは高いキャリア密度でK//=0以上の高い状態を占めるためMgZnO基板上に成長させた量子井戸構造の光学利得はz′-分極により支配されている。一方,通常のGaNバッファ上に成長させた量子井戸構造の光学利得はy′,z′-偏光の両方によって支配されている。a面AlGaN/GaN量子井戸レーザの偏光特性はMgZnO基板を用いることにより調整できた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 偏光 ,  有効質量 ,  *窒化ガリウム ,  キャリア密度 ,  異方性 ,  偏光性 ,  遷移エネルギー ,  *量子井戸レーザ ,  分極 ,  *量子井戸 ,  価電子
準シソーラス用語： AlGaN/GaN ,  サブバンド ,  *光利得 ,  *窒化アルミニウムガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 光学利得 ,  A面 ,  偏光 ,  歪異方性 ,  量子井戸 ,  AlGaN

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： 株 ,  改変 ,  成長 ,  GaN ,  AlGaN ,  量子井戸レーザ ,  光学利得