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J-GLOBAL ID：201702265172520464   整理番号：17A0475714

大規模2D PbI_2単分子層:実験による実現とその間接バンドギャップ関連特性【Powered by NICT】

Large-scale 2D PbI₂ monolayers: experimental realization and their indirect band-gap related properties

著者 (7件)： Zhong Mianzeng (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, P.O. Box 912, Beijing 100083, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Zhang Shuai ,  Huang Le ,  You Jingbi ,  Wei Zhongming ,  Liu Xinfeng ,  Li Jingbo
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 11  ページ： 3736-3741  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高い結晶性と均一な六方晶形状を持つ大規模PbI_2単分子層および数層を簡単な物理蒸着(PVD)法により合成した。バルク中の直接バンドギャップからの単層における間接バンドギャップへの遷移を,光ルミネセンス(PL)スペクトル,光電子特性,および第一原理計算によって検証した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 物理蒸着 ,  スペクトル ,  光電子 ,  結晶度 ,  単一層 ,  六方晶系 ,  光ルミネセンス ,  *単分子層 ,  第一原理計算 ,  直接バンドギャップ ,  *間接バンドギャップ

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 大規模 ,  2D ,  単分子層 ,  実験 ,  間接バンドギャップ