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J-GLOBAL ID：201702265562133279   整理番号：17A1623039

SROベースLECの電気光学性能に及ぼすゲートと誘電体厚さの影響:抵抗スイッチング,IRおよび深紫外発光【Powered by NICT】

Influence of the gate and dielectric thickness on the electro-optical performance of SRO-based LECs: Resistive switching, IR and deep UV emission

著者 (7件)： Cabanas-Tay S.A. (Centro de Investigacion en Materiales Avanzados S.C., Unidad Monterrey-PIIT, 66600 Apodaca, Nuevo Leon, Mexico) ,  Palacios-Huerta L. (INAOE, Departamento de Electronica, Apartado 51, Puebla 72000, Mexico) ,  Aceves-Mijares M. (INAOE, Departamento de Electronica, Apartado 51, Puebla 72000, Mexico) ,  Alvarez-Quintana J. (Centro de Investigacion en Materiales Avanzados S.C., Unidad Monterrey-PIIT, 66600 Apodaca, Nuevo Leon, Mexico) ,  Perez-Garcia S.A. (Centro de Investigacion en Materiales Avanzados S.C., Unidad Monterrey-PIIT, 66600 Apodaca, Nuevo Leon, Mexico) ,  Dominguez-Horna C. (Instituto de Microelectronica de Barcelona, (IMB-CNM, CSIC), Bellaterra, 08103 Barcelona, Spain) ,  Morales-Sanchez A. (Centro de Investigacion en Materiales Avanzados S.C., Unidad Monterrey-PIIT, 66600 Apodaca, Nuevo Leon, Mexico)
資料名： Journal of Luminescence  (Journal of Luminescence)
巻： 192  ページ： 919-924  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0731A  ISSN： 0022-2313  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は~41at%けい素含有量と異なる厚さ(t_SRO=2453と80nm)をもつシリコンリッチ酸化物(SRO)膜の電荷輸送とエレクトロルミネセンス特性を示し,金属-酸化物-半導体(MOS)容量構造における誘電体層として。SRO膜は高温で熱アニールしたシリコンナノ粒子(Si nps)形成を誘導した。SRO厚さ約80nmの発光コンデンサ(LEC)は,低電場で約10~ 10~10~ 12A(装置感度)における電流レベルと正常MOS構造のように振舞う。しかし,SRO膜の厚さは(以下)53nmに減少した場合に高伝導状態(H CS)と,抵抗スイッチング(RS)挙動低伝導状態へのが観察された。SRO厚さを24nmに減少させると,RS挙動を得るために必要な電場は増加した。H CSとRSの存在は,ゲート電極として用い,ポリシリコン膜SROからバルクに向かってのシリコンの拡散に関係している。厚さが減少する優先的な導電性経路の形成を可能にするとしてSRO膜中のシリコン含有量をSi拡散によって増加した。RSが得られ,LECは約455nm,490nm,540nm,650nmと800nmでのいくつかの最大ピークを持つ広い可視及び近赤外(IR)エレクトロルミネセンス(EL)スペクトルを発光した。SRO厚さ≧53nmでは,最も強いELピークは650nmに位置する。は狭くなり,一様な赤色エレクトロルミネセンス(ELを他のものと比較して厚さが80nmに増加すると強くなった。それにもかかわらず,SRO厚さを24nmに減少すると,1000nm以上の追加IR ELピークを観測した。IRバンドは650nmで観察されたものよりわずかに強く,薄いSRO膜を通る高い電流により増強したシリコン基板発光に起因する。により,厚さが53nm以上のとき,深紫外領域(253と288nm)における低強度の二狭いスペクトル線が観測され,これは共鳴コヒーレント蛍光効果に関係している。電気的挙動と光パワー放出とLECのエレクトロルミネセンス挙動との関係を解析した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 半導体 ,  酸化物 ,  *誘電体 ,  ケイ素 ,  電場 ,  エレクトロルミネセンス ,  MOS構造 ,  *発光 ,  電流 ,  ポリシリコン ,  コンデンサ
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  電荷輸送 ,  *深紫外線 ,  *抵抗スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： シリコンナノ結晶 ,  シリコンリッチ酸化物 ,  抵抗スイッチング ,  エレクトロルミネセンス

分類 (3件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  有機化合物のルミネセンス  (BM08094A) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (8件)： SrO ,  光学性能 ,  ゲート ,  誘電体 ,  厚さ ,  抵抗スイッチング ,  Ir ,  深紫外