文献

J-GLOBAL ID：201702265564865556   整理番号：17A1482912

超薄原子層堆積したAl_2O_3とポストメタライゼーションアニーリングに基づく金属-絶縁体-半導体コンデンサにおけるゲートトンネル電流の正確なモデリング【Powered by NICT】

Accurate modeling of gate tunneling currents in Metal-Insulator-Semiconductor capacitors based on ultra-thin atomic-layer deposited Al₂O₃ and post-metallization annealing

著者 (5件)： Molina-Reyes Joel (National Institute of Astrophysics, Optics and Electronics (INAOE), Electronics Department, Luis Enrique Erro No.1, Santa Maria Tonantzintla, Puebla. C.P. 72840, Mexico) ,  Uribe-Vargas Hector (National Institute of Astrophysics, Optics and Electronics (INAOE), Electronics Department, Luis Enrique Erro No.1, Santa Maria Tonantzintla, Puebla. C.P. 72840, Mexico) ,  Torres-Torres Reydezel (National Institute of Astrophysics, Optics and Electronics (INAOE), Electronics Department, Luis Enrique Erro No.1, Santa Maria Tonantzintla, Puebla. C.P. 72840, Mexico) ,  Mani-Gonzalez P.G. (Universidad Autonoma de Ciudad Juarez (UACJ), Ciudad Juarez, Chihuahua 32310, Mexico) ,  Herrera-Gomez A. (Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados (CINVESTAV), Queretaro, Queretaro 76230, Mexico)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 638  ページ： 48-56  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高誘電率(高κ)材料の導入は,ナノメータ領域にMooreの法則の連続的進歩を可能にしたが,これらの装置の長期運転を確保する正確な予測は,いくつかの物理的及び電子的考察のために現在はより複雑である:1)超薄領域(厚さ,化学量論,誘電率など)における高k材料の正確な原子制御,2)巨大ゲート漏れ電流,3)デバイスの性能と信頼性を分解することができるいくつかの伝導機構の出現,4)高k/silicon界面における界面欠陥と5)は幾つかの加工段階中の固有熱処理に曝露した後の高k材料の低熱力学的安定性。優れた素子性能/信頼性予測を提供するために,超薄Al_2O_3膜(厚さと熱原子層堆積により堆積した5nmと10nm)はH_2/N_2雰囲気中でポストメタライゼーションアニーリングの前後でゲート酸化物として使用されるとき,本研究では,金属-絶縁体-半導体(MIS)キャパシタ(基板注入条件下でバイアス)の正確なキャリア伝導機構の一貫した正確な検証を提供する。これらのMISデバイスの実験電流-電圧データ,SILVACOシミュレーションと十分に確立された半経験的モデルの使用と共にから,正確な伝導機構と同様に重要な物理的及び電子的パラメータ(伝導モデルと一致)を抽出した。H_2ベースアニールしたシリコンダングリングボンドを不動態化することができたにもかかわらず,Al_2O_3のゲート漏れ電流が増加する同じ伝導モデル,破壊前より良好な信頼性予測のための手がかりを提供することを保持することを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *半導体 ,  モデル ,  信頼性 ,  電圧 ,  誘電率 ,  *コンデンサ ,  不動態化 ,  界面 ,  *絶縁体 ,  *モデリング ,  アルミニウム ,  *電流
準シソーラス用語： 信頼性予測 ,  伝導機構 ,  ゲート漏れ電流 ,  高誘電率材料 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 酸化アルミニウム ,  原子層堆積 ,  ゲート漏れ電流 ,  伝導機構

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 原子層堆積 ,  絶縁体 ,  コンデンサ ,  ゲート ,  トンネル電流 ,  モデリング