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J-GLOBAL ID：201702265581921846   整理番号：17A1645826

低漏れ電流と急峻なサブしきい値傾斜のための表面不動態化を用いたHEMTデバイスの開発【Powered by NICT】

Development of HEMT device with surface passivation for a low leakage current and steep subthreshold slope

著者 (6件)： Priya Anushruti (Department of Electronics and Communication Engineering, Birla Institute of Technology (Deemed University), Mesra, Ranchi, Jharkhand - 835215) ,  Moonka Shreya (Department of Electronics and Communication Engineering, Birla Institute of Technology (Deemed University), Mesra, Ranchi, Jharkhand - 835215) ,  Chitransh Akshat (Department of Electronics and Communication Engineering, Birla Institute of Technology (Deemed University), Mesra, Ranchi, Jharkhand - 835215) ,  Prasad Santashraya (Department of Electronics and Communication Engineering, Birla Institute of Technology (Deemed University), Mesra, Ranchi, Jharkhand - 835215) ,  Sengupta Anumita (Department of Electronics and Communication Engineering, Birla Institute of Technology (Deemed University), Mesra, Ranchi, Jharkhand - 835215) ,  Islam Aminul (Department of Electronics and Communication Engineering, Birla Institute of Technology (Deemed University), Mesra, Ranchi, Jharkhand - 835215)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： DevIC  ページ： 364-367  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面不動態化をもつAlGaN/AlN/GaN高電子移動度トランジスタの構造を提案した。AlN/GaN接合で形成された二次元電子ガス移動度を改善するために提案した構造中のAlN層は,スペーサ層として作用する。デバイスの出力特性(Id Vds),伝達特性(Id Vgs),サブしきい値勾配と単一利得カットオフ周波数(f_T)を観測した。提案したデバイスはV_ds=1Vでオフ状態で無視できる漏れ電流を示した。ONおよびOFF状態間の超高速遷移が要求されるデバイスは約450mAの最大ドレイン電流を達成し,63.3mV/decの非常に急峻でほぼ理想的なサブしきい値勾配を示し,したがって,用いることができる。シミュレートした素子は,1GHzの単位電流利得遮断周波数(f_T)を示した。全てのシミュレーションはSilvaco ATLAS~TMを用いて行った。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 二次元電子ガス ,  利得 ,  *HEMT ,  *漏れ電流 ,  窒化ガリウム ,  移動度 ,  窒化アルミニウム ,  スペーサ ,  遮断周波数
準シソーラス用語： 電流利得 ,  ドレイン電流 ,  伝達特性 ,  窒化アルミニウムガリウム ,  *表面不動態化 ,  *サブ閾値 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 漏れ電流 ,  サブしきい値 ,  表面不動態化 ,  HEMT ,  開発