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J-GLOBAL ID：201702265586057192   整理番号：17A1646263

850/1310/1550nm完全集積光受信機のための28nmバルクCMOSにおけるSchottkyダイオードのモデリング,設計と特性化【Powered by NICT】

Modelling, design and characterization of Schottky diodes in 28nm bulk CMOS for 850/1310/1550nm fully integrated optical receivers

著者 (3件)： Diels Wouter (Department of Electrical Engineering, Katholieke Universiteit Leuven 3001 Leuven, Belgium) ,  Steyaert Michiel (Department of Electrical Engineering, Katholieke Universiteit Leuven 3001 Leuven, Belgium) ,  Tavernier Filip (Department of Electrical Engineering, Katholieke Universiteit Leuven 3001 Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ESSDERC  ページ： 224-227  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,28nm CMOS技術における高速光検出のためのNウエルSchottkyダイオードを提示した。これらのダイオードは850nm,1310nm,1550nm通信バンドに適した完全集積化CMOS光受信機を可能にする。前面照射を行ったとき,850nm応答性は同じバイアスで0.27mA/Wであり,背面照射を実施したとき,測定した1310と1550nm DC応答は1.5Vの逆バイアスでそれぞれ0.71mA/Wと0.16mA/Wである。これは,これらの三波長で実証された最初に報告されたCMOS光検出器である。零バイアスで測定した静電容量と面積の比は1.7mF/m~2であった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *Schottky障壁ダイオード ,  応答特性 ,  *ダイオード ,  通信 ,  光検出器 ,  *CMOS ,  光検出 ,  *モデリング ,  静電容量 ,  *キャラクタリゼーション ,  高速度 ,  バイアス
準シソーラス用語： 逆バイアス ,  *光受信機 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (8件)： 集積 ,  光受信機 ,  バルク ,  CMOS ,  Schottkyダイオード ,  モデリング ,  設計 ,  特性化