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J-GLOBAL ID：201702265753581950   整理番号：17A1696400

Co/Ni細線内磁壁位置制御技術と磁気シフトレジスタへの応用

Domain wall motion control in the Co/Ni-nanowire-based magnetic shift register

著者 (8件)： 近藤剛 (東芝 研究開発セ) ,  島田拓哉 (東芝 研究開発セ) ,  門昌輝 (東芝 研究開発セ) ,  QUINSAT Michael (東芝 研究開発セ) ,  大寺泰章 (東芝 研究開発セ) ,  梅津信之 (東芝 研究開発セ) ,  橋本進 (東芝 研究開発セ) ,  中村志保 (東芝 研究開発セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 117  号： 247(MR2017 17-25)  ページ： 13-16  発行年： 2017年10月12日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 固体ストレージ向け大記憶容量不揮発性メモリへの適用を念頭に磁性細線を用いた磁気シフトレジスタ(レーストラックメモリ)の研究おこなっている。本発表では,細線内に保持されたデータを破壊することなく移動させるために必要な磁壁位置制御技術を中心に最近の進捗について紹介する。(著者抄録)

シソーラス用語： *シフトレジスタ ,  細線 ,  *磁壁 ,  位置制御 ,  コバルト ,  ニッケル ,  データ蓄積 ,  *不揮発性メモリ ,  *運動
準シソーラス用語： *磁気シフトレジスタ ,  *磁壁移動

分類 (1件)： 記憶装置  (JC04060F)

引用文献 (11件)：

• T. Kondo et al., A Magnetic Shift Register with Periodic Potential Energy Modulation, Proc. 2017 International Symposium on VLSI technology, Systems and Application, 2017.
• Y. Ootera et al., High-purity cobalt thin films with perpendicular magnetic anisotropy prepared by chemical vapor deposition, APEX, vol.8, pp.113005, 2015.
• M. Quinsat et al., Dzyaloshinskii-Moriya interaction in Pt/Co/Pt films prepared by chemical vapor deposition with various substrate temparatures, AIP Advances, vol.7, pp.056318, 2017.
• M. Quinsat et al., Field- and current-induced domain wall creep motions in Tb-based ferrimagnetic alloys with varying compositions, APS March meeting 2015, 2015.
• H. Morise et al., Current-induced domain wall motion in perpendicular magnetized magnetic nanowires with unflatted surfaces, APS March meeting 2014, 2014.

タイトルに関連する用語 (8件)： CO ,  Ni ,  細線 ,  磁壁 ,  位置制御 ,  磁気 ,  シフトレジスタ ,  応用