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J-GLOBAL ID：201702265872934746   整理番号：17A1810410

超大パワー熱プラズマジェットの発生とアモルファスシリコン膜結晶化への応用

Generation of ultra high-power thermal plasma jet and its application to crystallization of amorphous silicon films

著者 (4件)： NAKASHIMA Ryosuke (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  SHIN Ryota (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  HANAFUSA Hiroaki (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  HIGASHI Seiichiro (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 6S2  ページ： 06HE05.1-06HE05.4  発行年： 2017年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 薄膜トランジスタ ,  *半導体薄膜 ,  *再結晶 ,  *プラズマジェット ,  アルゴン ,  アーク放電 ,  *シリコン薄膜
準シソーラス用語： 再結晶化

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： パワー ,  熱プラズマ ,  ジェット ,  アモルファス ,  シリコン膜 ,  結晶化 ,  応用