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J-GLOBAL ID：201702265931752768   整理番号：17A0912771

DRAMのSWD回路におけるNMOSFETのオフ状態ホットキャリア劣化と回復に関する研究【Powered by NICT】

Study on off-state hot carrier degradation and recovery of NMOSFET in SWD circuits of DRAM

著者 (8件)： Kim Kangil (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan Univ, Suwon, Gyunggi-do, 440-746, Korea) ,  Chung Ilsub (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan Univ, Suwon, Gyunggi-do, 440-746, Korea) ,  Sun Duan (DRAM Product & Technology, DRAM Business, Samsung Electronics Co. Ltd, Samsungjeonja-ro, Hwasung-si, Gyunggi-do, 445-330, Korea) ,  Rhe Sangjae (DRAM Product & Technology, DRAM Business, Samsung Electronics Co. Ltd, Samsungjeonja-ro, Hwasung-si, Gyunggi-do, 445-330, Korea) ,  Kim Ilgweon (DRAM Product & Technology, DRAM Business, Samsung Electronics Co. Ltd, Samsungjeonja-ro, Hwasung-si, Gyunggi-do, 445-330, Korea) ,  Hwang Hongsun (DRAM Product & Technology, DRAM Business, Samsung Electronics Co. Ltd, Samsungjeonja-ro, Hwasung-si, Gyunggi-do, 445-330, Korea) ,  Cho Kangyong (DRAM Product & Technology, DRAM Business, Samsung Electronics Co. Ltd, Samsungjeonja-ro, Hwasung-si, Gyunggi-do, 445-330, Korea) ,  Jin Gyoyoung (DRAM Product & Technology, DRAM Business, Samsung Electronics Co. Ltd, Samsungjeonja-ro, Hwasung-si, Gyunggi-do, 445-330, Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IIRW  ページ： 91-94  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サブワード線ドライバ(SWD)の短チャネルNMOSトランジスタのしきい値電圧劣化と回復を調べ,NMOSトランジスタのソースはオフ状態中の負電圧でバイアスした。は,しきい値電圧の劣化はオフ状態ホットキャリアストレスにより生じたことを見出した。オフ状態におけるサブワード線ドライバ(SWD)のNMOSトランジスタのゲートソース端子に印加した負バイアス電圧によるサブしきい値領域(0<V_GS<V_T)中である。この状況ではドレインに適用した高電圧,サブしきい値ドレイン電流はDIBL効果により増加した。さらに,高いエネルギーをもつホットキャリアMOSFETの誘電体/Si界面近傍の界面トラップを生成した。これらのホットキャリア劣化はしきい値電圧における正シフトを引き起こした。Aforementioned分解はバイアスと共に焼成により回収することができた。さらに,そのような回復の時間は短縮されたゲート端子た浮遊した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *DRAM ,  *MOSFET ,  バイアス ,  *ホットキャリア ,  誘電体
準シソーラス用語： 界面トラップ ,  DIBL ,  ドレイン電流 ,  サブ閾値 ,  バイアス電圧 ,  負電圧 ,  閾値電圧 ,  短チャネル ,  *オフ状態 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： DRAM ,  nMOSFET ,  オフ状態 ,  ホットキャリア ,  回復 ,  研究