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J-GLOBAL ID：201702265958901672   整理番号：17A0680734

Rashba半導体BiTeBr中の擬粒子散乱:スピンと欠陥格子サイトの役割

Quasiparticle Scattering in the Rashba Semiconductor BiTeBr: The Roles of Spin and Defect Lattice Site

著者 (14件)： BUTLER Christopher John (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  YANG Po-Ya (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  SANKAR Raman (Inst. of Physics, Academia Sinica, Taipei, TWN) ,  SANKAR Raman (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  LIEN Yen-Neng (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  LU Chun-I (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  CHANG Luo-Yueh (National Synchrotron Radiation Res. Center, Hsinchu, TWN) ,  CHEN Chia-Hao (National Synchrotron Radiation Res. Center, Hsinchu, TWN) ,  WEI Ching-Ming (Inst. of Physics, Academia Sinica, Taipei, TWN) ,  CHOU Fang-Cheng (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  CHOU Fang-Cheng (National Synchrotron Radiation Res. Center, Hsinchu, TWN) ,  CHOU Fang-Cheng (National Sci. Council, Taipei, TWN) ,  LIN Minn-Tsong (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  LIN Minn-Tsong (Inst. of Physics, Academia Sinica, Taipei, TWN)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 10  号： 10  ページ： 9361-9369  発行年： 2016年10月 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,X線光電子分光,走査型トンネル顕微鏡を用いた実験および密度汎関数理論計算に基づいて,Te終端のBiTeBr結晶でRashba分裂二次元電子ガス様の表面バンドにおける散乱に対応する擬粒子散乱を観測し,散乱を支配すると考えられる二つの機構を検討した。著者らは,Rashba分裂表面バンド中のスピンフリップ散乱の抑制を確かめた。また,個々の原子層中に点欠陥を見つけ,種々の欠陥の散乱長は,散乱が起こる表面バンドの軌道の性質に依存することを明らかにした。

シソーラス用語： 効果 ,  *ビスマス化合物 ,  *テルル化物 ,  *臭化物 ,  *X線光電子分光法 ,  *走査型トンネル顕微鏡 ,  密度汎関数法 ,  キャリア散乱 ,  二次元電子ガス ,  スピン-軌道相互作用 ,  Rashba効果

分類 (3件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  電子輸送の一般理論  (BM03020C) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 散乱 ,  スピン ,  欠陥 ,  格子 ,  役割