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J-GLOBAL ID：201702265991123736   整理番号：17A1019995

MOCVDを用いたGaAs(001)基板上のInAsSb膜の成長のためのバッファフリー法【Powered by NICT】

A buffer-free method for growth of InAsSb films on GaAs (001) substrates using MOCVD

著者 (7件)： Ni Pei-Nan (School of Electrical & Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, 639798 Singapore) ,  Tong Jin-Chao (School of Electrical & Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, 639798 Singapore) ,  Tobing Landobasa Y.M. (School of Electrical & Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, 639798 Singapore) ,  Xu Zheng-Ji (School of Electrical & Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, 639798 Singapore) ,  Qiu Shupeng (School of Electrical & Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, 639798 Singapore) ,  Tang Xiao-Hong (School of Electrical & Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, 639798 Singapore) ,  Zhang Dao-Hua (School of Electrical & Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, 639798 Singapore)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 468  ページ： 252-257  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： のためのGaAs(001)基板上にInAsSb膜の直接成長のための簡単な熱処理方法を報告した。成長させたInAsSb膜の特性を,走査電子顕微鏡,原子間力顕微鏡,X線回折,光ルミネセンスとH all測定によって系統的に特性化した。はこの方法で成長させたInAsSb膜は非常に滑らかで,鏡のような形態,良好な電気的及び光学的性質を持つ高品質を有することを見出している。特に,約3660nmに強い光ルミネセンスピークを室温,室温中赤外オプトエレクトロニクス応用のための成長させたInAsSb膜の能力を実証するでさえも観測できた。この成長法の機構を詳細に論じた。はこの研究では,GaAs基板上に直接高品質InAsSb膜を成長させるための簡単で実行可能な緩衝戦略を提供し,他のヘテロエピタキシャル成長に有利であると信じている。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 走査電子顕微鏡 ,  キャラクタリゼーション ,  *MOCVD ,  オプトエレクトロニクス ,  原子間力顕微鏡 ,  形態 ,  *ヒ化ガリウム ,  X線回折 ,  光学的性質 ,  熱処理 ,  エピタクシー ,  光ルミネセンス
準シソーラス用語： GaAs基板 ,  高品質 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： A1:特性化 ,  A3:Metalorganic化学蒸着 ,  B1:アンチモン化物 ,  B2:半導性III-V材料 ,  熱処理

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： MOCVD ,  GaAs ,  InAsSb ,  成長 ,  バッファ