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J-GLOBAL ID：201702266052598474   整理番号：17A1350206

9.5THz Vのメリットf_max V_DS,Q指数の提案を持つサファイア上のN極性GaN MIS-HEMT【Powered by NICT】

N-polar GaN MIS-HEMTs on sapphire with a proposed figure of merit f_max V_{DS, Q} of 9.5THz.V

著者 (9件)： Zheng Xun (University of California Santa Barbarae, Santa Barbara, CA 93106, USA) ,  Guidry Matthew (University of California Santa Barbarae, Santa Barbara, CA 93106, USA) ,  Li Haoran (University of California Santa Barbarae, Santa Barbara, CA 93106, USA) ,  Romanczyk Brian (University of California Santa Barbarae, Santa Barbara, CA 93106, USA) ,  Ahmadi Elaheh (University of California Santa Barbarae, Santa Barbara, CA 93106, USA) ,  Hestroffer Karine (University of California Santa Barbarae, Santa Barbara, CA 93106, USA) ,  Wienecke Steven (University of California Santa Barbarae, Santa Barbara, CA 93106, USA) ,  Keller Stacia (University of California Santa Barbarae, Santa Barbara, CA 93106, USA) ,  Mishra Umesh K. (University of California Santa Barbarae, Santa Barbara, CA 93106, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： DRC  ページ： 1-2  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNベースH EMTは固体電力増幅器[1]で優れた性能を実証した。f_T/f_maxと三端子破壊電圧の生成物は一般的にパワーデバイスの高周波特性[2]を特性化するために引用した。しかし,そのような計量を別々に採取した小信号測定と直流絶縁破壊測定の結果を混合し,したがってRF性能,分散,自己加熱,および材料劣化のような高電圧動作の副作用を考慮していない。この問題を解決するために,新しい指数f_maxとそれに関連した静止ドレインバイアス(V_ds,q)の積として定義される指数を提案した。N極性配向[3]の利点とMOCVD SiN_x不動態化層の高い膜品質を利用して,9.5THz・V f_max V_DS,Qは本研究で達成され,PECVD SiN_x[4+5]で不動態化した以前に報告された平面MIS-HEMTよりも優れていた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  MOCVD ,  絶縁破壊 ,  *HEMT ,  不動態化 ,  *サファイア ,  電力増幅器 ,  キャラクタリゼーション ,  *極性 ,  プラズマCVD ,  直流
準シソーラス用語： 自己加熱 ,  高周波特性 ,  パワーデバイス ,  絶縁破壊電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： メリット ,  指数 ,  提案 ,  サファイア ,  極性 ,  GaN ,  MIS ,  HEMT