Zhang Ting について
School of Optoelectronic Information, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan 610054, China について
Ahmad Waseem について
School of Optoelectronic Information, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan 610054, China について
Liu Bohan について
School of Optoelectronic Information, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan 610054, China について
Xuan Yaoyu について
School of Optoelectronic Information, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan 610054, China について
Ying Xiangxiao について
School of Optoelectronic Information, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan 610054, China について
Liu Zhijun について
School of Optoelectronic Information, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan 610054, China について
Li Yuankai について
The Second Research Institute of CAAC, Chengdu, Sichuan 610041, China について
Chen Zhi について
School of Optoelectronic Information, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan 610054, China について
Chen Zhi について
Department of Electrical & Computer Engineering and Center for Nanoscale Science & Engineering, University of Kentucky, Lexington, KY 40506, USA について
Li Shibin について
School of Optoelectronic Information, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan 610054, China について
Materials Letters について
フェムト秒レーザ について
硫黄 について
フォトダイオード について
応答スペクトル について
広帯域 について
エネルギー準位 について
スペクトル について
光検出器 について
検出器 について
近赤外線 について
光応答 について
サブバンドギャップ について
赤外領域 について
高濃度 について
Hyperdopedシリコン について
フェムト秒レーザ照射 について
広帯域赤外応答 について
光物性一般 について
ガラスの製造 について
フェムト秒レーザ について
硫黄 について
ドープ について
シリコン について
広帯域 について
赤外 について
応答 について