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J-GLOBAL ID：201702266120827364   整理番号：17A0388722

室温付近のChern絶縁体とDiracスピンギャップレス半導体:塩化ニッケル単分子層【Powered by NICT】

Near-room-temperature Chern insulator and Dirac spin-gapless semiconductor: nickel chloride monolayer

著者 (4件)： He Junjie (Department of Physical and Macromolecular Chemistry, Faculty of Science, Charles University in Prague, 128 43 Prague 2, Czech Republic. [e-mail] [e-mail]) ,  Li Xiao ,  Lyu Pengbo ,  Nachtigall Petr
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 6  ページ： 2246-2252  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 量子異常H all(QAH)効果の実用的応用のための大きな障害は,大きな非自明なバンドギャップ,室温磁気秩序と高いキャリア移動度をもつ適切なQAH材料(Chern絶縁体)が欠如している。第一原理計算に基づいて,塩化ニッケル(NiCl_3)単分子層は,これらすべての特性を持っていることを示した。NiCl_3単分子層はDiracスピンギャップレス半導体特性と高温強磁性(~400 K)とDirac物質の新しいクラスを表している。スピン-軌道結合を考慮に入れて,NiCl_3単分子層は~24meVの大きな非自明なバンドギャップを持つ固有Chern絶縁体になる,量子異常H all効果が観測された~280Kの高い動作温度に相当した。NiCl_3単分子層に対してここで報告された計算大きな非自明なギャップ,高いCurie温度と単一スピンDirac状態は,この材料が室温QAH効果の潜在的実現とスピントロニクスにおける潜在的応用のために大きな可能性を与えることを提案した。最後に,しかし軽んじられない約4×10~5ms~ 1のDiracフェルミオンの計算したFermi速度はNiCl_3単分子層における非常に高い移動度を示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： バンドギャップ ,  高温 ,  *半導体 ,  Curie温度 ,  磁気秩序 ,  移動度 ,  強磁性 ,  *塩化ニッケル ,  スピントロニクス ,  キャリア移動度 ,  *単分子層 ,  *絶縁材料 ,  *絶縁体
準シソーラス用語： Fermi速度 ,  Diracフェルミオン ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 室温 ,  Chern絶縁体 ,  スピン ,  ギャップレス ,  塩化ニッケル ,  単分子層