マグネトロンスパッタリングにより堆積したAZO薄膜の構造的,光学的および電気的特性に対する熱アニーリングの影響【Powered by NICT】

Meljanac Daniel; Juraic Krunoslav; Mandic Vilko; Skenderovic Hrvoje; Bernstorff Sigrid; Plaisier Jasper R.; Santic Ana; Gajovic Andreja; Santic Branko; Gracin Davor

文献

J-GLOBAL ID：201702266276688891 整理番号：17A0994663

マグネトロンスパッタリングにより堆積したAZO薄膜の構造的,光学的および電気的特性に対する熱アニーリングの影響【Powered by NICT】

The influence of thermal annealing on the structural, optical and electrical properties of AZO thin films deposited by magnetron sputtering

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巻： 321 ページ： 292-299 発行年： 2017年
JST資料番号： D0205C ISSN： 0257-8972 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

薄いAlドープZnO(AZO)薄膜を非加熱石英基板上にマグネトロンスパッタリングにより堆積した。堆積したままの試料はナノ結晶構造,スペクトルの可視部分で高い透明性が,比較的低い伝導率を示した。堆積後,膜が等時間間隔200nm,300nmもしくは400°Cで水素雰囲気中で1時間アニールした。構造特性に対するそのような処理の影響をGIXRDにより分析し,UV-Vis,光ルミネセンスおよびインピーダンス測定と相関していた。構造研究は,熱処理が材料中の歪を減少させ,結晶格子の体積は減少し,結晶サイズが大きくなることを示した。光学特性を測定することにより,加熱は光学ギャップを増加し,点欠陥の数,大部分は格子間原子に関連し,徐々に減少することが示された。このプロセスの結果として,室温での伝導率は移動度の向上と自由キャリアの濃度に起因する大きさの9桁以上増加した。欠陥消滅の活性化エネルギーは約1eVであると推定され,空格子点の消滅と格子間原子の拡散に対応する。自由キャリア濃度は浅いドナーとして作用するドーパントの活性化により増加した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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その他の無機化合物の薄膜

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