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{{ $t("message.AD_EXPIRE_DATE") }}2021年06月
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文献
J-GLOBAL ID:201702266352941793   整理番号:17A1482946

分子ビームエピタクシーシステムを用いたSフラックスの同時蒸着とそれに続くアニーリングによるCu_2ZnSnS_4形成【Powered by NICT】

Cu2ZnSnS4 formation by co-evaporation and subsequent annealing in S-flux using molecular beam epitaxy system
著者 (6件):
資料名:
巻: 638  ページ: 312-317  発行年: 2017年
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,Sフラックスの同時蒸着とそれに続くアニーリングによるCu_2ZnSnS_4(CZTS)形成は,分子ビームエピタクシー(MBE)システムを用いて実証し,CZTSの生成に及ぼすSフラックスアニーリング温度の影響を調べた。320 450°CでSフラックスの320°Cとそれに続くアニーリングでのCu,Zn,Sn及びSの共蒸着により形成された膜では,CZTSとCu_2xS相を検出し,それらの生成はSフラックスアニーリング温度に強い依存性を持つことが分かった。アニーリング温度では,検出されたCZTSは380 420°Cの範囲で最大量を示した。一方,検出されたCu_2xSは温度範囲で最小量である。これらの膜の深さプロフィルはSフラックスアニーリング温度の400°C以上で膜表面に発生した顕著なCu偏析することを示した。これらの結果は,太陽電池性能に及ぼす悪い影響を与える,Cu_2xSの少ない二次相を持つCZTS相は同時蒸着後に実施したSフラックスアニーリングの380 420°Cの限られた温度範囲で形成されることを示唆した。2.25%電力変換効率は400°Cで320°Cとそれに続くSフラックスアニーリングでの共蒸着により形成されたCZTSを持つ太陽電池で達成された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (4件):
分類
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酸化物薄膜  ,  太陽電池  ,  光物性一般  ,  半導体薄膜 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
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