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J-GLOBAL ID：201702266352941793   整理番号：17A1482946

分子ビームエピタクシーシステムを用いたSフラックスの同時蒸着とそれに続くアニーリングによるCu_2ZnSnS_4形成【Powered by NICT】

Cu₂ZnSnS₄ formation by co-evaporation and subsequent annealing in S-flux using molecular beam epitaxy system

著者 (6件)： Shimamune Yosuke (National Institute of Technology, Nagaoka College, 888 Nishikatakai, Nagaoka, Niigata 940-8532, Japan) ,  Jimbo Kazuo (National Institute of Technology, Nagaoka College, 888 Nishikatakai, Nagaoka, Niigata 940-8532, Japan) ,  Nishida Genki (National Institute of Technology, Nagaoka College, 888 Nishikatakai, Nagaoka, Niigata 940-8532, Japan) ,  Murayama Masanari (National Institute of Technology, Nagaoka College, 888 Nishikatakai, Nagaoka, Niigata 940-8532, Japan) ,  Takeuchi Akiko (National Institute of Technology, Nagaoka College, 888 Nishikatakai, Nagaoka, Niigata 940-8532, Japan) ,  Katagiri Hironori (National Institute of Technology, Nagaoka College, 888 Nishikatakai, Nagaoka, Niigata 940-8532, Japan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 638  ページ： 312-317  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Sフラックスの同時蒸着とそれに続くアニーリングによるCu_2ZnSnS_4(CZTS)形成は,分子ビームエピタクシー(MBE)システムを用いて実証し,CZTSの生成に及ぼすSフラックスアニーリング温度の影響を調べた。320 450°CでSフラックスの320°Cとそれに続くアニーリングでのCu,Zn,Sn及びSの共蒸着により形成された膜では,CZTSとCu_2xS相を検出し,それらの生成はSフラックスアニーリング温度に強い依存性を持つことが分かった。アニーリング温度では,検出されたCZTSは380 420°Cの範囲で最大量を示した。一方,検出されたCu_2xSは温度範囲で最小量である。これらの膜の深さプロフィルはSフラックスアニーリング温度の400°C以上で膜表面に発生した顕著なCu偏析することを示した。これらの結果は,太陽電池性能に及ぼす悪い影響を与える,Cu_2xSの少ない二次相を持つCZTS相は同時蒸着後に実施したSフラックスアニーリングの380 420°Cの限られた温度範囲で形成されることを示唆した。2.25%電力変換効率は400°Cで320°Cとそれに続くSフラックスアニーリングでの共蒸着により形成されたCZTSを持つ太陽電池で達成された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *焼なまし ,  深さプロフィル ,  第二相 ,  *銅 ,  *MBE成長 ,  偏析 ,  *同時蒸着 ,  太陽電池 ,  温度範囲 ,  アニーリング温度 ,  硫化ケステライト
準シソーラス用語： 電力変換効率 ,  CZTS , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： CZTS ,  Cu_2xS ,  共蒸着 ,  硫化 ,  分子ビームエピタクシー ,  太陽電池

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 分子ビームエピタクシー ,  フラックス ,  同時蒸着 ,  アニーリング