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J-GLOBAL ID：201702266479766127   整理番号：17A1259582

低漏れ電流のための専用シンクを用いたRF NMOSスイッチ【Powered by NICT】

RF NMOS switch with dedicated sinks for reduced leakage current

著者 (5件)： Al-Sa’di M.S.M. (NXP Semiconductors Nijmegen, Gerstweg 2, 6534 AE, The Netherlands) ,  Donkers J.J.T.M. (NXP Semiconductors Nijmegen, Gerstweg 2, 6534 AE, The Netherlands) ,  Magnee P.H.C. (NXP Semiconductors Nijmegen, Gerstweg 2, 6534 AE, The Netherlands) ,  Brunets I. (NXP Semiconductors Nijmegen, Gerstweg 2, 6534 AE, The Netherlands) ,  Slotboom J.W. (NXP Semiconductors Nijmegen, Gerstweg 2, 6534 AE, The Netherlands)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： RFIC  ページ： 81-83  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,デバイス性能指数(R_on×C_off)を低下させることなく,およびデバイス複雑さを増さずにRF NMOSスイッチデバイスにおける基板漏れ電流を顕著に低減する方法を導入した。構造レイアウトを修正し,専用のシンクを導入することに基づいている。これらのシンクは,ソース/ドレイン領域に到達する基板の少数キャリアを防止し,それにより信号経路からそれを除去した。添加では,この手法を二パラメータ,漏れとR_on×C_off性能指数の独立した調整を可能にする。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 性能指数 ,  *漏れ電流 ,  少数キャリア ,  *NMOS構造 ,  *スイッチ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 漏れ電流 ,  シンク ,  RF ,  NMOS