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J-GLOBAL ID：201702266507212518   整理番号：17A1620656

p-n接合をもつ高電圧シリコン構造に基づく高電力ナノ秒およびピコ秒オプトエレクトロニックスイッチ II エネルギー効率

High-Power Nano- and Picosecond Optoelectronic Switches Based on High-Voltage Silicon Structures with p-n Junctions: II. Energy Efficiency

著者 (1件)： KYUREGYAN A. S. (Federal State Unitary Enterprise “All-Russian Electrotechnical Inst. named after V.I. Lenin”, Moscow, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 51  号： 9  ページ： 1214-1217  発行年： 2017年09月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抵抗負荷R_Lにおける電圧パルスの形成の間にピコ秒レーザパルスにより制御された高電圧シリコンフォトダイオード,フォトトランジスタおよびフォトサイリスタに基づくオプトエレクトロニックスイッチのエネルギー効率を調べた。三種のスイッチタイプの特徴は短い持続時間t_Rではほとんど同じであるが,長いt_Rではフォトサイリスタに顕著な利点が認められた。

シソーラス用語： *スイッチング ,  *オプトエレクトロニクス ,  *PN接合 ,  *ケイ素 ,  *エネルギー効率 ,  *フォトトランジスタ ,  *フォトダイオード ,  *サイリスタ ,  レーザパルス ,  電気抵抗
準シソーラス用語： *フォトサイリスタ ,  負荷抵抗

分類 (2件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (7件)： p-n接合 ,  高電圧 ,  シリコン ,  高電力 ,  ナノ秒 ,  ピコ秒 ,  エネルギー効率