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J-GLOBAL ID：201702266520428789   整理番号：17A1557664

分子ビームエピタクシーによる低密度InAs量子ドット分子の成長のための修正勾配法【Powered by NICT】

A modified gradient approach for the growth of low-density InAs quantum dot molecules by molecular beam epitaxy

著者 (2件)： Sharma Nandlal (Department of Physics, University of Paderborn, Warburger Strasse 100, Germany) ,  Reuter Dirk (Department of Physics, University of Paderborn, Warburger Strasse 100, Germany)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 477  ページ： 225-229  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子的に結合した二つの垂直積層量子ドット,いわゆる量子ドット分子,量子通信ネットワークのための固体状態ビルディングブロックの実現のために非常に重要である。単一量子ドット分子は光学的にアドレスできるように低い面積密度のInAs量子ドット分子を実現するために修正勾配アプローチを提案した。個々の量子ドット層をGaAs(100)上のInAsを堆積する固体源分子ビームエピタクシーにより調製した。底量子ドット層は表面を横切るで,勾配,ウエハの特定領域で低量子ドット密度と密度勾配に変換する基板回転無しで成長させたした。トップ量子ドット層,厚さ6nmのGaAs障壁による底量子ドット層からの分離のために,In勾配なしで蒸着した種々のInAs量。勾配がないにもかかわらず,上部量子ドットで観測される顕著な密度勾配。単一ドット層の臨界厚さより僅かに低いIn量でも,底層で密度勾配を再現するために,上部量子ドット層における密度勾配が観測された。より以下では,それぞれに対して,この挙動からのずれが生じる。トップ量子ドットの成長に及ぼす底量子ドット層の著明な影響は埋め込みドットによって誘起される歪み場に起因することを示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ネットワーク ,  歪場 ,  *傾斜法 ,  *インジウム ,  *MBE成長 ,  ヒ化ガリウム ,  *量子ドット ,  臨界 ,  固相 ,  *ヒ化インジウム
準シソーラス用語： 密度勾配 ,  量子通信 ,  *量子ドット分子 ,  *InAs量子ドット ,  *低密度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： A1ナノ構造 ,  A3分子ビームエピタクシー ,  B2半導性III-V材料 ,  B2半導性ひ化ガリウム

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 分子ビームエピタクシー ,  低密度 ,  InAs ,  量子ドット分子 ,  成長 ,  勾配法