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J-GLOBAL ID：201702266637553539   整理番号：17A0274499

n型結晶Si上のHfO_2薄膜の表面不動態化特性【Powered by NICT】

Surface Passivation Properties of ${¥textrm{HfO}}_{2}$ Thin Film on n-Type Crystalline Si

著者 (7件)： Cheng Xuemei (Department Materials Science and Engineering, Norwegian University of Science and Technology, Trondheim, Norway) ,  Repo Paivikki (Department of Micro and Nanosciences, Aalto University, Espoo, Finland) ,  Halvard Haug (Department for Solar Energy, Institute for Energy Technology, Kjeller, Norway) ,  Perros Alexander Pyymaki (Nanovate Oy, Micronova, Espoo, Finland) ,  Marstein Erik Stensrud (Department for Solar Energy, Institute for Energy Technology, Kjeller, Norway) ,  Di Sabatino Marisa (Department Materials Science and Engineering, Norwegian University of Science and Technology, Trondheim, Norway) ,  Savin Hele (Department of Micro and Nanosciences, Aalto University, Espoo, Finland)
資料名： IEEE Journal of Photovoltaics  (IEEE Journal of Photovoltaics)
巻： 7  号： 2  ページ： 479-485  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2305A  ISSN： 2156-3381  CODEN： IJPEG8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子層堆積した酸化ハフニウムは,低抵抗率,低温焼なまし後のn型結晶Siウエハの良好な表面不動態化を提供することを示した。表面不動態化を固定した負電荷だけでなく,結晶Siウエハと優れた界面に関係している。本論文では,前洗浄,前駆体,堆積温度,およびポストアニーリング温度,HfO_2不動態化特性に及ぼす四つの堆積パラメータの影響を議論した。,最適化された蒸着条件とポストアニーリングプロセスの下で,Czochralski法によって成長させたn型ウエハ上に浮遊ゾーンn型ウエハ上に1.9ms(表面再結合速度(SRV)7.7cm/s)と1.7ms(SRV 11 cm/s)の少数キャリア寿命を測定した。表面不動態化の顕著な改善は,100時間の光照射後に観察され,2.5msのキャリア寿命をもたらした。二欠陥電荷トラッピング/脱トラッピングモデルによる結果のフィッティングは付加的な光誘起負電荷が電界効果不動態化,実験結果と一致することを増強することを示した。その高い屈折率とSiウエハの得られた良好な表面不動態化のために,HfO_2は高効率Si太陽電池の製作における表面不動態化材料として大きな可能性を持つ,例えば,。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 界面 ,  酸化ハフニウム ,  キャリア寿命 ,  最適化 ,  焼なまし ,  *ケイ素 ,  屈折率 ,  太陽電池 ,  少数キャリア ,  電気抵抗率 ,  Czochralski法 ,  負電荷 ,  *不動態化
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  *表面不動態化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (3件)： 結晶Si ,  薄膜 ,  表面不動態化