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J-GLOBAL ID：201702266678024391   整理番号：17A1811044

GaN中のGa空孔における電子-フォノン結合の第一原理計算

First-principles calculation of electron-phonon coupling at a Ga vacancy in GaN

著者 (3件)： TSUJIO Takeshi (Wakayama Univ., Wakayama, JPN) ,  ODA Masato (Wakayama Univ., Wakayama, JPN) ,  SHINOZUKA Yuzo (Wakayama Univ., Wakayama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 9  ページ： 091001.1-091001.5  発行年： 2017年09月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,GaN中のGa空孔における局在フォノンモードへの電子バンド構造の依存性を調べた。電子状態とフォノンモードは密度汎関数理論に基づく第一原理法を用いて計算された。Ga空孔を,有する/有さない場合の,GaNの計算された電子バンド構造およびフォノン周波数状態密度を比較することにより,以下の点が明らかになった:1)局在した電子ミッドギャップ状態が価電子帯の上部の近くにあり,2)局在したフォノンモードが,音響および光学フォノンバンドの上に現れ,3)これらの局在化されたフォノンモードの1つは,Ga空孔の周囲の4つのN原子のうちの1つが強く振動する非対称の歪みを持ち,4)局在化電子ミッドギャップ状態は,局在非対称モードと強く結合した。これらの結果は,Ga空孔が非放射性再結合中心として作用し,GaN系デバイスの欠陥反応を引き起こす可能性があることを示している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *空格子点 ,  *電子-フォノン相互作用 ,  計算 ,  *バンド構造 ,  *密度汎関数法 ,  *局在振動 ,  エネルギーギャップ
準シソーラス用語： 空孔【点欠陥】 ,  第一原理計算 ,  *電子バンド構造 ,  ミッドギャップ

分類 (3件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  結晶中の局在モード  (BL03030K)

引用文献 (36件)：

• S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 1997).
• S. Nakamura, Science 281, 956 (1998).
• T. Someya, R. Werner, A. Forchel, M. Catalano, R. Cingolani, and Y. Arakawa, Science 285, 1905 (1999).
• H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, and Y. Toyoda, Jpn. J. Appl. Phys. 28, L2112 (1989).
• S. R. Jeon, Y. H. Song, H. J. Jang, G. M. Yang, S. W. Hwang, and S. J. Son, Appl. Phys. Lett. 78, 3265 (2001).

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  Ga ,  空孔 ,  電子-フォノン結合 ,  第一原理計算