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J-GLOBAL ID：201702266705312553   整理番号：17A0637804

電子ビーム蒸発器により成長させたY₂O₃酸化物絶縁体を用いたエンハンスメントモード水素化ダイヤモンド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)

Enhancement-mode hydrogenated diamond metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with Y₂O₃ oxide insulator grown by electron beam evaporator

著者 (4件)： Liu J. W. (Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Oosato H. (Nanofabrication Platform, NIMS, 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, Japan) ,  Liao M. Y. (Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Koide Y. (Research Network and Facility Services Division, NIMS, 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 110  号： 20  ページ： 203502-203502-5  発行年： 2017年05月15日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 電子ビーム ,  酸化イットリウム ,  絶縁体 ,  モード ,  *ダイヤモンド ,  *MOSFET ,  素子構造 ,  容量電圧特性 ,  電気特性 ,  電流密度 ,  電気抵抗率
準シソーラス用語： エンハンスメントモード ,  *水素化ダイヤモンド ,  電流密度-電圧特性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (11件)： 電子ビーム蒸発 ,  成長 ,  Y2O3 ,  酸化物 ,  絶縁体 ,  エンハンスメントモード ,  水素化 ,  ダイヤモンド ,  金属酸化膜半導体 ,  電界効果トランジスタ ,  MOSFET