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J-GLOBAL ID：201702266717211523   整理番号：17A0052441

Aurivillius相Bi-V-Oの熱電特性に及ぼす結晶成長冷却条件の影響

Influence of Crystal Growth Cooling Conditions on Thermoelectric Properties of Aurivillius Phase Bi-V-O

著者 (3件)： Kohri Hitoshi (School of Advanced Engineering, Kogakuin University, Tokyo, Japan) ,  Segawa Mizuki (Graduate School, Kogakuin University, Tokyo, Japan) ,  Yagasaki Takayoshi (School of Advanced Engineering, Kogakuin University, Tokyo, Japan)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 45  号： 11  ページ： 5582-5587  発行年： 2016年11月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Aurivillius相Bi₂VO_5.5は,酸素イオン伝導体として知られている。これまでのBi₂VO_5.5の研究では,焼結体のSeebeck係数は800Kで約10mVK^-1であった。しかし,抵抗率は800Kで10³Ωmであった。この高い抵抗率は境界の亀裂のために生じた高い粒界抵抗のためと考えられる。本研究では,試料を溶融法により調製し,境界を減少させることを目的とした。Aurivillius相Bi-V-Oの熱電特性に及ぼす結晶成長冷却条件の影響について論じた。調べた結晶成長冷却条件は,冷却速度9Kh^-1のゆっくり冷却,炉冷却および急冷であった。走査型電子顕微鏡(SEM)により試料の表面および断面を観察した。結晶相は,X線回折(XRD)分析によって同定した。抵抗率は,直流(DC)2または4端子法により測定した。Seebeck係数は小温度差法により測定した。粒内抵抗および粒界抵抗は複合インピーダンス法により評価した。全ての試料は層状粒子からなっていた。冷却速度の増加に伴い,断面の粒厚は減少した。急冷およびゆっくり冷却した試験片の抵抗率は,測定された温度範囲にわたって炉冷却試験片および焼結体と比較して約1000倍低かった。Copyright 2016 The Minerals, Metals & Materials Society Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 相 ,  *層状化合物 ,  電気特性 ,  *結晶成長 ,  条件 ,  輸送係数 ,  電気抵抗率 ,  冷却速度 ,  熱電効果 ,  *熱電材料 ,  Seebeck係数
準シソーラス用語： *Aurivillius相 ,  成長条件 ,  抵抗率 ,  熱電特性

著者キーワード (4件)： Aurivillius phase ,  bismuth layered oxides ,  oxygen ion conductor ,  thermoelectric oxide

分類 (2件)： 熱電デバイス  (NC03090J) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： Aurivillius相 ,  Bi ,  熱電特性 ,  結晶成長