文献

J-GLOBAL ID：201702266800915687   整理番号：17A1537622

トリフェニルアミンで修飾された非貴金属コバルト(II)ビス-テルピリジン錯体に基づく抵抗メモリ素子【Powered by NICT】

Resistive memory devices based on a triphenylamine-decorated non-precious cobalt(ii) bis-terpyridine complex

著者 (5件)： Tang Jian-Hong (CAS Key Laboratory of Photochemistry, CAS Research/Education Centre for Excellence in Molecular Sciences, Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China. [e-mail]) ,  Sun Tian-Ge ,  Shao Jiang-Yang ,  Gong Zhong-Liang ,  Zhong Yu-Wu
資料名： Chemical Communications  (Chemical Communications)
巻： 53  号： 87  ページ： 11925-11928  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0376B  ISSN： 1359-7345  CODEN： CHCOFS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二トリフェニルアミンモチーフで修飾したコバルト(ii)ビス テルピリジン錯体のITO/活性material/Auにサンドイッチされたデバイスは大きなオン/オフ比(>10 3)と低動作電圧(<±3 V)を持つ魅力的なフラッシュ型抵抗スイッチングを示した。対照的に,トリフェニルアミン付加テルピリジン配位子をもつデバイスは,WORM型メモリ挙動を示した。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *第三アミン ,  *芳香族アミン ,  *窒素複素環化合物 ,  *コバルト錯体 ,  フルオロリン酸塩 ,  塩化コバルト ,  錯体生成 ,  常磁性 ,  サイクリックボルタンメトリー ,  スピンコーティング ,  モルフォロジー ,  表面構造 ,  *記憶素子 ,  *電気抵抗 ,  オンオフ制御 ,  化学合成 ,  配位子 ,  記憶装置 ,  *金 ,  密度汎関数法 ,  スピン密度 ,  脂肪族ニトリル ,  脂肪族塩素化合物 ,  トリハロメタン
準シソーラス用語： WORM ,  *テルピリジン類 ,  *トリフェニルアミン誘導体 ,  ヘキサフルオロホスファート ,  *抵抗メモリ ,  配位子合成 ,  表面モルフォロジー

分類 (3件)： コバルトとニッケルの錯体  (CE01092Y) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

物質索引 (4件)： 2,2′:6′,6′′-テルピリジン ,  アセトニトリル ,  クロロホルム ,  4′-[4-(ジフェニルアミノ)フェニル]-2,2′:6′,2′′-テルピリジン

タイトルに関連する用語 (7件)： トリフェニルアミン ,  修飾 ,  貴金属 ,  コバルト ,  ビス ,  錯体 ,  メモリ素子